模电 场效应管放大电路.ppt

本节自学 ? 基极分压式 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 ? 各种FET特性比较 ? 使用注意事项 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 1. 特性比较 请参阅教材P237，表5.5.1 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 2. 使用注意事项 ① J/MOSFET通常制成D-S极可互换，特性曲线没有明显变化。但S极已与衬底相连时则不可。 ② J/MOSFET在储存和焊接时，必须注意防静电的保护问题，G-S极间需提供必要的保护。 5.5.2 各种放大器件电路性能比较(p236) BJT FET CE： CS： CB： CG： CC： CD： CB： CG： CC： CD： CE： CS： 1. 输入电阻 2.输出电阻 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 例：电路如图。已知gm=18mS，b =100，rbe =1kW，求：AV、ri、 ro 。 解：首先画出交流等效电路 +VCC RC C1 C2 R1 ui uo R2 Rg Rb1 Rb2 Rs Vs 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 例： 解：交流等效电路如图 +VCC RC C1 C2 R1 ui uo R2 Rg Rb1 Rb2 Rs Vs 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 解：根据交流等效电路 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 解：根据交流等效电路 输入电阻大的好处 Rs Vs ? 场效应管的工作原理、输出特性和转移特性 ? 场效应管放大电路的组成、工作原理和特点 ? 静态分析和基于小信号模型的动态分析 ? 场效应管是压控型放大器件，输入阻抗高，常做前置输入级 本章小结 End of §5 ！ 模电演义领衔主演：李 震 饰 …………………… 二极管李彩林 饰 …………………… 三极管BJT韦寿祺 饰 …………………… MOSFET 莫金海 饰 …………………… 运算放大器 罗 奕 饰 …………………… 搞搞震器王 红 饰 …………………… 功率放大器 群众演员： 12级电气全体友情演出： 其他选修者导演音响： Goldsea 1. 共源S+共基B放大电路。这是CS-CB电路 1. 共源S+共基B放大电路 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 夹断后，表现出恒流特性 G点电位越小，UDS越早到达夹断点，曲线下移，形成曲线族 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 夹断点解释：如果VGD=VGS－VDS≥VT，沟道不必夹断，呈现线性电阻特性；随着VDS的增大， VGD=VGS－VDS＜VT，沟道处于夹断状态，越大夹断越厉害，但维持ID不变。 0. 由电场效应作用形成导电沟道的半导体管子，称场效应管。 Field Effect Transistor缩写FET 1. 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写FET）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。 2. MOSFET：绝缘栅场效应管（MOS管） ，它由金属（Metal）、氧化物（Oxide/二氧化硅 ）和半导体（Simiconductor）所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。 3. 场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。 绝缘栅型（IGFET：Insulated Gate Field Effect Transistor ） 问题：耗尽型VGS可正可负，增强型VGS为负时于为0时一样吗？（均处于截止状态） 夹断电压VP与开启（阈值）电压VT的区别？（P：Pinch-off voltage；T：Threshold voltage ）（前者对应耗尽型、后者对应增强型） 1. 注意Kn的单位，要改！转移特性曲线的一种表达形式 2. 建议统一单位：I（mA），V（V） 3. 这是共源极放大电路 1. 注意Kn的单位，要改！ 2. 建议统一单位：I（mA），V（V） 可分别求