集成电路封装测试与可靠性课程设计技术分析.docxVIP

关于Cu互连系统下迁移失效模式研究 张茂林 201421030121 摘要 随着电子技术的飞速发展，功能多样、电路结构比较复杂的电子产品得到广 泛的应用。电子产品是由各式各样的集成芯片连接成的，而一块集成电路芯片又 由成千上万的乃至于上百万个器件通过金属互连线连接而成。当器件失效或者互 连线失效，都可能会引起整个集成芯片的失效。如果为了复杂的电子系统能在非 常恶劣的环境中长期工作，提高集成芯片的可靠性是非常有必要的。所以，集成 电路金属铜互连系统的可靠性一直以来都是I C设计和制造研究的重点和热点。[1][2] 1 引言 随着集成电路技术的发展，集成电路发展到纳米技术时代，铜互连技术已经 成为决定集成电路可靠性、性能、成本和生产率的重要因素。一直以来电迁移被 认为是铜互连系统可靠性中的一个很大的问题，但是在1987年的《国际可靠性 物理论丛》中初次报告一种和电迁移不同的不良失效类型，这种失效类型是在互 连线不通电，只在高温下（高于100℃）放置产生断线现象，原因主要是互连线 和互连系统中的介质层材料的热膨胀系数（CTE）有很大差别，发生热失配，进而引起铜互连结构系统热应力缺陷，所以称为应力迁移或应力诱生空洞。目前，应力迁移对集成电路可靠性的影响是人们研究的重要内容之一。 2 铜互连的研究历程 互连（interconnect）是在硅芯片上集成分立的电子元器件，并把这些它们通 过