实验3-采用湿法刻蚀技术制作硅微V型槽.docVIP

微机电系统课程实验之三 采用湿法刻蚀技术制作微V型槽 《微机电系统》课程组 编写 电子科技机械电子工程学院 2005年5月 实验名称：采用湿法刻蚀技术制作硅微V形槽 实验目的 理解硅湿法刻蚀加工原理；掌握硅晶体晶向对湿法刻蚀过程、最终形成结构形状的影响规律； 理解微加工工艺流程；通过运用硅湿法刻蚀加工装置、完成其腐蚀实验过程，培养对微加工过程的具体感性认识； 学习微结构测试、分析的相关知识。 实验任务 选择适当硅片，在其上表面上刻蚀平行V型槽阵列，用于某MEMS组装结构。周期350微米，槽宽205微米。槽数量3~5个。 实验原理 硅湿法刻蚀加工原理 硅是各向异性材料，因此对硅的不同晶面将有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性，可以在硅衬底上加工出各种不同的微细结构，例如我们将要加工的V型槽。腐蚀剂可分为两类：一类是有机腐蚀剂，例如EPW（乙二胺，邻苯二酸和水按一定比例配成）、联胺；另一类是无机腐蚀剂，例如KOH、NaOH、LiOH、CsOH、NH4OH等等。由于有机腐蚀剂排放的气体有毒，所以我们将考虑采用氢氧化钾溶液作为腐蚀剂。其腐蚀的反应式为： （2-1） 在有乙丙醇（（CH3）2CHOH，缩写为IPA）参与的情况下，其反应式为： （2-2） （2-3） 即首先将硅氧化成含水的硅化物。 （2-4） 由上述