微波工程基础第2章.pptVIP

强损耗介质衰减常数很大, 与相位常数相等 强损耗介质中电场和磁场不同相, 相差45° 强损耗介质中电能远小于磁能 强损耗介质的表面阻抗: 强损耗介质中的坡印廷矢量: 磁感应加热? 导电媒质情况 传导损耗 2.4.3 平面电磁波的衰减 续前页 2.50 不良导体 ?电导率?很小, 或频率?很高 电导率增加, 衰减上升, 但渗透深度减小. 导电媒质情况 传导损耗 续前页 良导体 ? 电导率?很大, 或频率?不太高 良导体衰减常数很大, 与相位常数相等 良导体电场和磁场不同相, 相差45° 良导体中电能远小于磁能 良导体的表面阻抗: 良导体中的坡印廷矢量: 磁感应加热 导体内部的焦耳损耗 单位面积损耗功率 导电媒质情况 传导损耗 续前页 理想导体 理想导体内部电磁波衰减常数无穷大 理想导体内部电场和磁场为零（E J/?） 理想导体表面外侧电场切向分量为零: 理想导体表面外侧磁场切向分量: 理想导体没有功率损耗（法向玻印亭矢量为零） 2.51 问题 损耗越小，渗透越深；频率越高，损耗越大，但渗透减小，损耗和渗透是一对矛盾。如果想用电磁波加热物体，这对矛盾将如何影响加热过程？（分别从极化和传导损耗两方面分析） 2.4.4 电磁波的偏振 电磁波的偏振：电场或磁场矢量端点轨迹在波 阵面上的投影曲线?线偏振，圆偏振，椭圆偏 振；全偏振，部分偏振，非偏振 两个线偏振波的合成 任意偏振态的波可以由两个互相垂直的，具有相同频率和相位常数，但具有不同振幅和初相的线偏振波叠加而成 2.52 2.4.4 电磁波的偏振 续前页 253 如果 ? 0 °或180 °, 线偏振;一般椭圆偏振:如果? ±90°, 正椭圆偏振; Exm Eym 圆偏振;如果 ? 0, Ex 落后于Ey,场矢量逆时针旋转,左旋波（CCW） 如果 ? 0, Ex 超前于Ey,场矢量顺时针旋转,右旋波（CW） 同理这些结果适应于磁场矢量。 2.54 2.55 2.4.4 电磁波的偏振 续前页 两个圆偏振波的合成 任意偏振波由两个旋转方向相反，频率和相位常数相等，振幅和初相不同的圆偏振波合成 见2.54和2.55 ECW ECCW, 线偏振; ECW 0, 逆时针圆偏振波, 左旋波; ECCW 0, 顺时针圆偏振波, 右旋波; ?2 -?1, ? 0, ECW?ECCW?0, 正椭圆偏振波 一般情况为斜椭圆偏振 2.56 2.4.4 电磁波的偏振 续前页 单色波?偏振波 完全偏振 完全偏振波?若干不同频率, 幅度, 相位, 偏振态的单色波合成的多色波 非偏振波?场矢量端点作随机运动, 它的频率, 幅度, 相位以及矢量取向都是随机的?自然光 部分偏振波?介于完全偏振波与非偏振波之间 偏振度 部分偏振的衡量 ?部分偏振波中完全偏振波分量的功率流密度与全部功率流密度之比 场强平方之比 应用?发射, 传输, 传播, 接收 2.5 电磁波的反射和透射 反射和透射：电磁波传输过程中媒质物理参数发生突变引起的传输变化现象?边值问题 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律 讨论条件: 媒质1和媒质2分界面为无限大平面 见图 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律 续前页 媒质1中的入射和反射波以及媒质2中的透射波可以分别写为: 2.57 切向电场连续 给定位置,时间任意性确定 给定时间, 空间的彼此独立性确定 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律 续前页 ? kiy y+kizz kryy+krzz ktyy+ktzz 假定: 入射波矢位于x-z平面, 有kiy 0; 由y,z的任意性 独立性） kry kty 0, kiz krz ktz 2.58 设?i、 ?r和 ?t分别为入射、反射和折射角，则 kiz kisin?i, krz krsin?r, ktz ktsin?t 2.59 设?1,?2分别为波在媒质1和媒质2中的传播速度, ki kr ?/?1, kt ?/?2 2.60 由 2.58 , 2.59 和 2.60 可得 2.55 斯奈尔定律 2.5.2 反射和折射的振幅关系?菲涅尔公式 不同偏振态波有不同的边界条件，但任意偏振态的电磁波可以分解为两个相互垂直线偏振波的叠加。假定任意偏振态波分解为电场矢量垂直入射平面和平行入射平面两个相互垂直的线偏振波 电场垂直入射面?TE波 见图 电场垂直入射面? TE波 续前页 2.61 2.62 2.63 电场平行入射面?TM波 见图 2.64 2.65 电场平行入射面?TM波 续前页 问题 2.6 洛仑兹互易定理 J1