微电子器件原理结型场效应晶体管要点.ppt

第六章 结型场效应晶体管 6.1 pn结场效应晶体管（JFET） 6.2 金属-半导体场效应晶体管（MESFET） 参考书 1．集成电路器件电子学（第三版）Device Electronics for Integrated Circuit Richard S. Muller, Theodore I. Kamins, Mansun Chan 著王燕，张莉译 许军审效, 电子工业出版社p184--190页 2．晶体管原理，刘永 张福海编著，国防工业出版社，2002.1，p273-303 6.1 pn结场效应晶体管（JFET） 6.1.1 JFET器件基本工作原理 6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 6.1.3 JFET器件分析--源极接地，漏极上加小的偏压VD 6.1.4 JFET器件分析--源极接地，漏极上加大的偏压VD 6.1.5 JFET参数 6.1.1 JFET器件基本工作原理 源极向沟道提供多数载流子。 沟道：栅极的耗尽区和衬底pn结耗尽区之间的中性区。衬底通常接地。 n沟道JFET中漏极正偏，电流通过沟道从漏极流向源极。 如果将源极接地，同时在栅极上加负偏压，pn界的耗尽区将扩大，沟道变窄，沟道电阻增加，导致从沟道流向源端的电流减小，栅极上外加偏压可以控制沟道中的电流。 p 沟道JFET中电流从源端流向漏端。 因为只有少量的电流流向反偏pn结，所以