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光电调制器研究状况分析 李世涛 光信息科学与工程0211302班 学号：2013210735 摘要：用对硝基偶氮苯类为侧链的键合型聚合物, 采用高温电晕极化的方法制作电光薄膜, 设计并构造极化 聚合物薄膜电光调制器。 当通光方向和极化方向平行并且垂直于极化聚合物薄膜的表面时, 利用法布里-帕 罗(F-P)腔中多光束干涉, 可以把通过的光由位相调制转化为强度调制, 有利于电光调制器的小型化和高速封 装。用这种聚合物薄膜电光调制器测量了铟锡氧化物共面波导上的电信号, 并对系统的工作原理进行了分 析。 实验结果表明, 薄膜调制器具有线性电光效应;当 F-P 腔的精细因子为 20(对 1.3μm 的光), 调制电场为 1V/μm 时, 研制的极化聚合物电光调制器的调制深度可达到 0.01 %。 关键词：电光调制器;法布里-珀罗腔;电光薄膜;极化聚合物 1、引言 随着集成电路工作速度的迅速提高 ,现有的电互联技术已经不能完全满足信号速度和通讯距离的需求[ 1] 。同时,计算机的高速中央处理器对与外部设备之间的数据传送也提出了更高的要求 。即使是获得极大成功的光通讯领域, 其进一步的发展也受制于出现在各种组件之间, 特别是光组件与电组件之间的信息转换[2] 。这些问题的最佳解决方法便是用光互联技术取代电互联技术[ 3] 。而实现光互联的一个关键所在便是研制并应用电光型调制器件。目前横向 M ach-Zehnder 型波导类电光调制器虽然比较成熟, 但是这种调制器大多需要用光纤对光进行耦合, 并且因整个器件的尺寸较大(调制电极长至少为 1cm 以上),在进行调制器阵列的集成时工艺较困难,而且不易小型化半导体电吸收调制器则在 与激光器的集成方面有困难, 且高的制造成本也限制了它在这些方面的应用。因此光互联最佳的选择便是薄膜电光调制器。近年在宽频带高速电光调制器的研究领域中所取得的成果表明,极化聚合物材料的低损耗、高带宽及容易实现光集成等突出优势 ,将使它成为最先得到实用的分子非线性光学材料。目前已有报道用极化聚合物制成 110GH z 的波导相位调制器[ 4] 。因此 ,极化聚合物电光调制器在光通信、光开关及光数据处理等领域,特别是极化聚合物薄膜的电光调制器在光互联方面的应用前景十分诱人。 虽然透射型极化聚合物电光调制器目前还处于实验研究阶段,但由于其结构简单、制作方便而又用途广泛, 因而深受重视。利用无机晶体并结 合相应的起偏器和检偏器也可容易地实现电光调制,但是由于无机晶体材料的电光系数一般较小, 且相应的器件尺寸较大 ,因而限制了其在光通讯和光互联领域的应用。由于聚合物材料的特性使得聚合物电光调制器的制作工艺简单 , 能通过旋涂的方法方便地在许多类型的衬底上形成高质量 的光学薄膜 ;还可以很方便地将这样的器件与半导体激光二极管集成 ;而且有些极化聚合物材料的电光系数很大, 这样便有希望获得较大的调制 深度 ;最重要的是薄膜调制,因而制作出的器件可 以相当小(数百微米), 从而在制作调制器阵列时也十分容易。本文研究的电光调制器, 采用的聚合物材料是对硝基偶氮苯类为侧链的键合型聚合物,采用高温电晕极化的方法制作电光薄膜 ,设计并构造出新型的极化聚合物薄膜电光调制器。 2 、工作原理 从本质上来说 ,电光效应只能对光束的相位进行调制, 如果要获得强度调制的激光束一般还 需要利用检偏器或者是干涉效应将这种相位调制转变为强度调制。在这方面,Fabry-Perot(F-P)腔 是一种很方便的实现这一转换的技术。如果将极化聚合物薄膜置于 F-P 腔中 ,再加以适当的电极 , 便可使得经过 F-P 腔的透射光强随电极上施加的电场的强弱而变化 , 即可实现极化聚合物薄膜的透射型电光强度调制。 图 1 是透射型极化聚合物薄膜电光调制器的基本结构。将聚合物薄膜沿垂直于膜平面方向极化,然后夹于两片氧化铟锡(ITO)导电玻璃之间并被置于 F-P 腔中。由于极化在垂直于膜平面的方向 ,这样光轴方向也沿此方向。当通过 I TO 导电玻璃对其施加一个垂直于膜平面的调制电场 ,并让激光束也沿此方向垂直通过聚合物薄膜时,则极化电场、调制电场都沿光轴方向,且均与通光方向平行,因而利用的是薄膜的纵向电光效应。 图 1 基于 F-P 腔的透射型极化聚合物电光调制器结构图 对于图1所示的聚合物电光调制器结构, 调制电场仅沿光轴 z 方向。根据在外 加电场下折射率椭球的普遍表达式和极化聚合物的电光系数矩阵可得纵向电光调制的折射率椭球方程为 : 1+γx2+1+γy2+22no13