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Barrier Metals SiH4 Ar N2 N2 Ti PVD Targets * Physical Vapor Deposition Chambers Cluster Tool Configuration Transfer Chamber Loadlock Wafers PVD Chamber Transfer Chamber Cryo Pump Wafer N S N + e - Backside He Cooling Argon Nitrogen Reactive Gases DC Power Supply (+) * High proportion of the total product use Process Conditions Pressure: 5 mTorr Temperature: 200 degrees C. RF Power: * * * * PVD Target PVD Chamber CVD Chamber * * 物体由于外因(受力、湿度变化等)而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并力图使物体从变形后的位置回复到变形前的位置。在所考察的截面某一点单位面积上的内力称为应力 * 1）在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速；