半导体二极管及基本电路分析.pptVIP

二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.2 ? 0.4) V 锗管 0.3 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 ︱U(BR) ︱ ︱U︱ 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) ︱U ︱ ︱U(BR) ︱ 反向电流急剧增大 (反向击穿) * 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 * （二）伏安特性： 二极管电流与电压之间的关系 U I O UD U I O U I O A A B B 硅 锗 正向：死区（ OA 段）: 硅管约 0.5 V， 锗管约 0.2 V； 正向导通区: 硅管 约 0.7 V，锗管约0.3 V 温度增加，曲线左移 反向：截止区（ OB 段）: I 近似为 0； 击穿区: 管子被击穿 半导体二极管的伏安特性 (a) 近似特性 (b) 理想特性 温度增加，曲线下移 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 * * （c） 折线近似模型 uD iD UD(on) ?U ?I 斜率1/ rD rD UD(on) * 温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C T 升高时， UD(on)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 * 3.2.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) iD uD U (BR) I F URM O * 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 * 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 * * 二极管电路分析：先判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 若 V阳 V阴或 UD为正，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时管压降为零， 反向截止时相当于开路。 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 （四）主要应用 整流、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。 * * UD(on) 例1:下图电路中，硅二极管，R = 2k?,分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD = 2V和VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 二极管应用举例 理想模型 恒压降模型 实际电路 * [解] 1. VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) 2. VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R =