铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池产业发展与学术前沿(页)分析.pptxVIP

2012年11月25日;;随着能源危机与环境污染的日趋严重，开发可再生清洁能源成为国际范围内的重大战略课题之一！;太阳电池现状：已发展出三代;CIGS薄膜太阳电池：用料少、效率高、稳定性好、易于柔性化和卷绕式生产，具有良好发展前景，成为研发热点。;;CIGS太阳电池发展历程;1985年，CdS厚度从3μm减至50nm，并引入低阻ZnO作为窗口层，增强短波响应，这一结构进一步发展成目前的经典结构 1988年，ARCO采用预制层硒化法获得14.1%效率 1980-1990年代，在CIS中掺Ga和S来改善性能；1989年，波音制备出效率为12.9%的CIGS电池 1990年代后，美国NREL实验室基于三步共蒸发法，获得17.7%-18.8%-19.2-19.9%效率，并一直保持世界纪录 2010年，德国ZSW基于蒸发法，超过NREL将效率提高至20.1%，此后又提高到20.3%;CIGS太阳电池结构;;;;CIGS薄膜电学性质：取决于化学计量组成 少子寿命: 若干ns 少子扩散长度: 可达3μm 电子迁移率: 最高可达1000cm2 V -1 s-1 (单晶) 电导率：Cu-rich~1000?-1cm-1；In-rich~0.01?-1cm-1 载流子浓度：1016-1018 cm-3 导电类型：根据组分不同，可获得P型或N型的CIGS;;;预制层的选择: 金属预制层 简介：一般采用铜镓合金靶与铟靶溅射，可分为共溅和分层溅射 优点：产率高，技术路线成熟，为目前溅射法采用最多的预制层方式 缺点：由于无掩埋硒源，对后硒化处理要求较高 代表单位：日本的昭和壳牌、本田等 ;硒源的选择: 气态硒化氢 简介：一般掺入90%惰性气体稀释后使用。目前一般采用快速热处理工艺， 德国Shell solar用此法制备的组件效率高达14% 优点：硒化过程中，H2Se能分解为原子态Se，活性大易于CIG金属合金预 制层反应得到高质量CIGS薄膜； 缺点： H2Se作为硒源有毒且易挥发 ;固态硒源 简介：一般将Se粉作为硒源放入蒸发舟，采用蒸发方法产生Se蒸汽对预制 层进行硒化 优点：安全无毒且廉价 缺点： Se压难以控制， Se原子活性差，易于造成In和Ga元素的损失 ;;一步法 简介：在沉积过程中保持铜、铟、镓、硒四蒸发源的流量不变，一步完成 CIGS的制备 优点：工艺控制相对比较容易，适合大面积生产 缺点：形成的薄膜晶粒尺寸比较小且不能形成梯度带隙;三步法 简介：在三步法工艺中，三步过程都是在Se蒸气环境中进行的。 第一步，在衬底温度为350℃左右时，蒸发In和Ga形成In2Se3、Ga2Se3 两种硒化物，其中控制In/Ga＝0.7/0.3，(In＋Ga)/Se＝2/3； 第二步，在衬底温度为560℃左右蒸发Cu，形成富Cu的CIGS薄膜。此 过程中由于Cu2-xSe熔点较低，高温下呈液态，可促进晶粒生长 得到了 晶粒尺寸大且致密的膜层； 第三步衬底温度保持560℃ 蒸发少量的In和Ga，不但消除了表面的 Cu2-xSe，还得到了稍微贫铜的ｐ型CIGS薄膜，实现了表面Ga的梯度 分布； ;缓冲层CdS;CdS制备方法：化学水浴法（CBD） 可制备出既薄又致密而且无针孔的CdS CBD中，氨水可溶解CIGS表面的氧化物，起到清洁表面作用 Cd2+可与CIGS反应生成CdSe并向贫铜表面扩散，形成CdCu施主，修复CIGS表面缺陷 沉积温度低且工艺简单廉价;窗口层ZnO及ZnO:Al（ZAO）; 组件制作时，在薄膜材料沉积过程中要进行三道划线工艺，以完成各子电池的界定、分割和互联;技术路线;1） Solar Frontier 公司简介：昭和壳牌的全资子公司，全球第二大薄膜 太阳电池厂家，1993年开始CIGS技术研发 技术路线：溅射后硒（硫）化 电池结构：玻璃/Mo/CIGSS/ZnS/ZBO(Mocvd) 技术水平： 30cm2的组件实现了17.2％的转换效率 生产规模：在宫崎县建造了年产能达900MW，2011年的总产能达到1GW，效率为11.2% 已与IBM合作开发CZTS太阳电池，技术基于该公司的“CIS太阳电池”;2）Honda Soltec （日本） 公司简介：1997年开始研究CIGS太阳电池，2006年成立了的生产和销