第7章 直流稳源.pptVIP

1. 晶闸管的结构与工作原理 四层半导体 晶闸管内有四层半导体，形成三个PN结 结构 符号 三 个PN  结 P1 P2 N1 N2 K 阴极 A 阳极 G 控制极 K G A K N2 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 A G P1 N1 P2 N1 P2 N1 P2 K A T2 T1 P2 N1 N2 P1 N1 P2 G (1) 晶闸管的等效电路 A K T2 T1 G UGK UAK (2) 晶闸管导通条件 ① UAK?0 在极短时间内使T1、T2均饱和导通 形成正反馈过程 IA T1、T2因发射结反偏而截止,这时无论控制极电压UGK0还是UGK0 ，晶闸管均处于截止状态，IA?0 ② UAK?0 T1、T2因发射结正偏，集电结反偏而处于放大状态 IG IC2 IC1 此时若在控制极施加正电压UGK0,T2就有了基极电流 晶闸管一旦导通后，即使去掉UGK， 依靠正反馈，仍可维持导通 (3) 晶闸管关断条件 晶闸导通后，控制极失去控制作用。晶闸管的导通是依靠内部的正反馈作用维持的。 通过减小阳极电流IA使其不能维持正反馈，即可关断晶闸管。为此，可把阳极断开，或在阳极与阴极间加反向电压(UAK0)。 A K T2 T1 G UAK IA IC2 IC1 正向特性 反向特性 UFRM IG2 IG1 IG0 UBR IF UBO 正向转折电压 IH 0 UAK IA IG0 IG1 IG2 反向转折电压 正向平均电流 维持电流 UF 2. 伏安特性 UAK IA UAK IA URRM 3. 晶闸管主要参数 UFRM: 正向重复峰值电压，晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V 反向重复峰值电压控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元件上的反向峰值电压。一般取 URRM = 80% UBR 普通晶闸管 URRM为100V—3000V URRM： UN: 额定电压。取UFRM与URRM中较小者作为UN 正向平均电流，环境温度为40?C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。 IF： 如果正弦半波电流的最大值为Im, 则 普通晶闸管IF为1A — 1000A。 IF ?t ? 2? 3? Im UF: 通态平均电压（管压降），在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、阴极间的电压平均值。一般为1V左右。 IH: 维持电流，在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。 一般IH为几十到一百多毫安。 UG、IG：控制极触发电压和电流 室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完 全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。 一般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安。 uO RL iO uT1 uG u2 u1 i2 uD1 D1 D2 T1 T2 1.单相半控桥式整流电路 uD1 0 ?t uO 0 iO ?t u2 0 uT 0 ?t ?t ? 2?+? ?+? 0?t?,无触发脉冲，T1截止，其漏电流通过RL和D1，忽略这两部分电压，uT1=u2，uD1=0， uO=0 ? ?t?, T1被触发导通，uT1=0，uD1=0， uO=0 7.2.2 单相可控整流电路 uO RL iO uT1 uG u2 u1 i2 uD1 D1 D2 T1 T2 2.单相半控桥式整流电路 uD1 0 ?t uO 0 iO ?t u2 0 uT 0 ?t ?t ? 2?+? ?+? ??t?+?,无触发脉冲,T2截止,其漏电流通过RL和D2,忽略这两部分电压，uT1=0，uD1=u2， uO=0 ?+? ?t2?, T2被触发导通，uT1= u2 ，uD1= u2 ， uO= ?u2 uD1 0 ?t uO 0 iO ?t u2 0 uT 0 ?t ?t ? 2?+? ?+? 参数计算 输出电压、电流平均值： 晶闸管和二极管平均电流值： uD1 0 ?t uO 0 iO ?t u2 0 uT 0 ?t ?t ? 2?+? ?+? 参数计算 变压器副边电流的有效值(负载电流的有效值)： 晶闸管电流的有效值： B2 第二 基极 发射极 E B1 第一 基极 N 2. 单结晶体管触发电路 (a) 示意图 (b) 符号 B2 E B1 欧姆接触电阻 P PN结 B1 B2 E RB2 RB1 A D (C) 等效电路 (1) 单结晶体管结构 (2) 伏安特性 UBB UE B2 E B1 IE RB2 RB1 A UA D ?称为分压