LED芯片MOCVD外延生长要点.pptVIP

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  • 2016-06-13 发布于湖北
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MOCVD 衬底材料的选择 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主要取决于以下九个方面: [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小; [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强; [3]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀; [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小; [5]导电性好,能制成上下结构; [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小; [7]机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等; [8]价格低廉; [9]大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。 用于氮化镓生长的衬底材料性能优劣比较 衬底材料 Al2O3 SiC Si ZnO GaN 晶格失配度 差 中 差 良 优 界面特性 良 良 良 良 优 化学稳定性 优 优 良 差 优 导热性能 差 优 优 优 优 热失配度 差 中 差 差 优 导电性 差 优 优 优 优 光学性能 优 优 差 优 优 机械性能 差 差 优 良 中 价格 中 高 低 高 高 尺寸 中 中 大 中 小 氮化镓衬底 用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的

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