SOI技术-2009要点.ppt

22纳米CMOS器件的挑战与可能的对策 解决方案： 高迁移率沟道 弹道输运 高k/金属栅 金属S/D 22纳米 CMOS Xj Nsub Vdd EOT Vth Nsub EOT 泄漏电流 或功耗 短沟道效应 解决方案： 高k/金属栅 多栅结构 解决方案： 超薄体(UTB) 多栅结构 栅隧穿电流 反型层电容 亚阈值斜率 能带弯曲 迁移率 S/D寄生电阻 带-带隧穿 关注点 关注点 驱动电流 22纳米CMOS器件对新材料、新结构的需要 IC技术对材料的需要 新材料、新器件结构需要 平面MOS器件 3维MOS器件 * gm/Id 在弱反型区最大，而ft随电流增加而增大 工作点选取需要综合功耗与速度，取Vgs-Vth=0.1V NWFET特性分析 * 由于环栅结构的强栅控能力，gm/Id 接近理想值 SNWTs的强量子限域作用，gm 更大，有利于ft和fmax。 * 工艺涨落影响 在IEEE T-ED上 发表了文章 * NWFET reliability MG:Tsi reduced, ii reduced Reduced E * 利用栅隧穿电流－电场－陷阱电荷密度－Vt的关系 论文被IEDM2007录用 * 如刚才介绍的那样，MOS晶体管好比是一个水龙头， * * * * 埋层厚度减薄、介电常数减小都 会使得阈值漂移减小 当 ?=3.9时，阈值漂移对埋层厚 度非常敏感，而当?=1.0时，阈 值漂移对埋层厚度不敏感 采用空洞埋层，可以在很厚的埋 层厚度下有效地抑制DIBL效应， 同时不会增大寄生电容 SON器件与SOI器件：短沟和DIBL效应的比较 SON器件与SOI器件：亚阈值斜率的比较 采用SON技术，可以将技术代推进几代 对比条件： 漏电压为0.5V时的Ioff＝10nA/um 沟道长度50nm 硅膜厚度10nm 在相同的关态电流下，SON器件可以有更大的驱动电流 提出用He注入形成空洞，通过退火，空洞迁移，形成一层空洞层，该空洞层可以作为背面介质层，也可以填充其他介质。 主要原理 在硅片内注入剂量超过 1e16cm-2 的氦（Helium），并且在适当的时间内进行退火，硅片的内部可以形成一定尺寸和形状的空洞 氦离子在硅中的扩散比较快，退火时氦很容易从硅的表面跑出来，不会在硅内留有杂质 氦注入硅片以后，和注入造成的空位型损伤形成复合体，复合体可以固定氦气，成为聚集氦气的核心。在后续退火中，氦气膨胀，多个相邻小气泡发生合并，组成较大气泡 由于氦气在硅中具有很好的渗透性，可以穿过气泡内壁的表面势垒，从晶格中扩散到表面逸出。在硅体中留下真空状态的空洞 SON器件的制备 注氦技术制备SON材料：实验一 实验条件 （100）径向生长的p型硅片 热氧化300-400埃 注入能量40KeV 注入剂量5e16 退火温度700,持续时间一个小时 注氦技术制备SON材料：实验二 （100）径向生长的p型硅片 热氧化300-400埃 注入能量100KeV 注入剂量1e17 退火温度1100,持续时间5分钟, 梯度10度/分钟 结论： 注入剂量越大空洞的密度就越大;而退火温度越高，空洞的尺寸就越大，而且空洞越靠近表面 氢氦联合注入及退火 注氦技术制备SON材料：实验条件优化 样品号 1A 2A 3A 3B 注入条件 40kev，He+H He：1e16 H：1e15 40kev He：5e16 40kev He:1e17 40kev He:1e17 退火条件 H2:N2=1:10 430℃，0.5h H2:N2=1:10 430℃，0.5h H2:N2=1:10 430℃，0.5h N2 800℃，0.5h 氢氦联合低剂量注入、氢气、氮气低温退火 （100）径向生长的p型硅片 热氧化2000埃 注入能量40KeV 注入剂量He：1e16＋H：1e15 退火条件：H2:N2=1:10 430℃，半小时 H＋He注入的样品空洞尺寸最大，退火温度较低，已经可以形成较好的空洞。 H2＋N2退火使得空洞主要集中在注入峰值附近，而N2较高温度退火（800C）则使得空洞迁移到表面硅层里 进一步的测试分析还在进行中。 提出的方法可以用于多种器件 空洞介质层的深度（硅膜厚度）可以由注入能量控制，空洞的大小，或者说背介质层厚度可以由注入剂量来控制 可以通过多次注入来调整硅膜和背介质层厚度。 用这种技术可以通过与掩膜版结合起来可以容易地实现准SON、准SOI结构，设计灵活。 硅膜质量正在分析，但相对SIMOX，比氧轻，剂量小