模电A试卷A分析.pptVIP

4-1 *广东工业大学试卷用纸，共 5　 页，第 页 广东工业大学考试试卷 ( B ) 七 复核得分 评卷签名 复核签名 评卷得分 总分 六 五 四 三 二 一 题 号 一、 （共15分）单项选择：（把所选项前的字母填在题后的括号里， 每个括号1分） 课程名称:___ 模拟电子技术A___ 试卷满分 100 分 考试时间: 2009年 06月 23日 ( 第 19 周 星期二 ) 学院：________________ 专 业)：________________________ 学 号：_________________________ 姓 名：______________________ 序号：_______ 装 订 线 1、要形成N型半导体，需要在硅或鍺本征半导体中加入微量（ ）价元素。 A、三 B、四 C、五 2、PN结外加正向电压时（ ），空间电荷区将（ ）。 A、导通 B、截止 C、变窄 D、变宽 3、当温度下降时，半导体三极管的共射输出特性曲线将（ ）。 A、下移 B、上移 C、不变 4、当温度下降时，半导体三极管的电流放大系数将（ ）。 A、增大 B、减小 C、不变 5、P沟道场效应管的的电流ID是由导电沟道中的（　 ）在源漏极之间电场作用下运动形成的。 　 A、空穴 B、电子 C、多子和少子 6、选择差分放大电路的原因是（　 ）。 　 A、稳定电压增益 　 B、提高输入电阻 　 C、扩展频带 　 D、抑制零点漂移 7、差分放大电路的差模信号是（ ）。 A、输入端与输出端的电压差 B、两个输入端信号之差 C、两个输入端信号的平均值 8、电压比较器的集成运放通常是工作在（　　　）区。 　 A、饱和　 B、截止 C、非线性 　D、线性　 9、当信号频率等于放大电路的 fL 或 fH 时，放大倍数的值约下降到中频时的（　　　）。 　 A、0.5 　　B、0.7 　 C、1.414 　 10、 共射电流放大系数β随工作频率升高而下降的主要原因是（ ）。 A、晶体管材料的热敏性 B、PN结电容效应 C、PN结的单向导电性 D、晶体管工作在截止区 11、考察差分放大电路的一个指标参数——共模抑制比 K CMR 定义为（ ）。 请注意： 考生务必在试卷的第1页和第3页上填写班级、学号和姓名，序号按签名表上的编号填写。 试卷的第1、2页在考试结束前半小时由监考老师收缴！ 物理与光电工程 08电子技术 班 二、（共25分）填空 题（1~ 5 题每空1分，其余2分） 注：可选择括号内的内容 　　 1、 三极管用来放大时，应使发射结处于 　　 偏置，集电结处于 　　　 偏置。 　测得某放大电路中三极管的各极的直流电位分别为-0.3V，-5V，0V, 试判断： 　该管由　　　　材料制成 ， 该管是　　　　 型三极管。 　　 4、与图2.1转移特性曲线相适应的场效应管是 (绝缘栅型N沟增强型、绝缘栅 型N沟耗尽型、绝缘栅型P沟增强型、绝缘栅型P沟耗尽型)。 (1分) 0 图2.1 8、在多级放大电路中，为了获得较好的低频特性应采用 耦合方式。 9、在单相桥式整流电路中，已知输入电压有效值U2=20V，负载电 阻为1KΩ，求： 负载上的 输出电压UL = V ；流经每个整流二极管的平均电流ID = mA。 　　 2、在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电压与输入电压反相的 是_