集成电路工艺原理作业 王蔚.docVIP

集成电路制造技术作业 热氧化 1、解释名词：自掺杂 外扩散 SOS技术 SOI技术。 答： 自掺杂：是指在高温外延时，高掺杂衬底中的杂质从基片外表面扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象。 外扩散：又称为互扩散，是指在高温外延时，衬底和外延层中的杂质互相由浓度高的一侧向浓度低的一侧扩散的现象。 SOS技术：是SOI技术的一种，是在蓝宝石或尖晶石衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。 SOI技术：是指在绝缘衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。 2、详述影响硅外延生长速率的因素。 答：影响外延生长速率的因素主要有外延温度、硅源种类、反应剂浓度、外延反应器结构类型、气体流速、衬底晶向等。 外延温度的影响：外延过程可分为质量传递过程和表面反应过程。在气相质量传递过程中，随着温度升高气相边界层中的气体分子热运动加剧、气体黏度增加、气体密度降低、气相边界层增厚，综合以上效应，气相质量传递速率随温度缓慢升高有所加快。在表面反应过程中，外延剂吸附和气态生长物的解吸过程很快，对外延生长速率影响效果不明显；外延剂化学反应和生成硅原子迁移随着温度升高而明显加快，综合几个过程的综合效果，硅表面反应过程随温度升高速率加快非常明显。因此，外延温度升高，外延生长速率加快。 硅源种类的影响：实际测得采用不同硅源，生长速率不同。外延生长速率由高到低对应的硅源依次为：SiH4SiH2Cl2SiHCl3SiC