可控硅的测量方法.docVIP

窗体底端 可控硅的测量方法一、概述 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损髦显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 二、可控硅元件的结构和型号 1、结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件 图1、可控硅结构示意图和符号图 2、型号 目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。 表一 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表 参数 部颁新标准（JB1144-75） 部颁旧标准（JB1144-71） 序号 KP型右控硅整流元件 3CT系列可控硅整流元件 1 额定通态平均电流（IT（AV）） 额定正向平均值电流（IF） 2 断态重复峰值电压（UDRM） 正向阻断峰值电压（UPF） 3 反向重复峰值电压（URRM） 反向峰值电压（VPR） 4 断态重复平均电流（IDR（AV）） 正向平均漏电流（I） 5 反向重复平均电流（IRR（AV）） 反向平均漏电电流（IRL） 6 通态平均电压（UT（AV）） 最大正向平均电压降（VF） 7 门极触发电流（IGT） 控制极触发电流（Ig） 8 门极触发电压（UGT） 控制极触发电压（Vg） 9 断态电压临界上升率（du/dt） 极限正向电压上升率(dV/dt） 10 维持电流（IH） 维持电流（IH） 11 额定结温（TjM） 额定工作结温（Tj） KP型可控硅的电流电压级别见表二表二、KP型可控硅电流电压级别 额定通态平均电流IT（AV）（A） 1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100 正反向重复峰值电压UDRM，URRM（×100）（V） 1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30 通态平均电压UT(AV)(V) A B C D E F G H I ≤0.4 0.4～0.5 0.5～0.6 0.6～0.7 0.7～0.8 0.8～0.9 0.9～1.0 1.0～1.1 1.1～1,2 示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。 三、可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图2所示 图2、可控硅等效图解图 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表三 表三、可控硅导通和关断条件 状态 条件 说明 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向