电子电路基础(模电)期末复习分析.pptVIP

　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。 　　载流子在电场作用下的运动称漂移运动，由此形成的电流称漂移电流。 4. 半导体中的两种电流： 5. PN 结形成的物理过程 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN 结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过 PN 结的电流为零。 PN结的物理空间称为耗尽层、或空间电荷区、或势垒区。 空间电荷区产生电场 —— 内电场 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 空间电荷区正负离子之间电位差 VB0 —— 电位壁垒。 室温时 锗管 VB0 ? 0.2 ~ 0.3 V 硅管 VB0 ? 0.5 ~ 0.7 V 6. PN结的一些术语： 7. PN 结——伏安特性方程式 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 8. PN 结——伏安特性曲线 ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on)= 0.7V IS=(10-9~10-16)A 硅PN结 VD(on)= 0.25V 锗PN结 IS=(10-6~10-8)A 温度每升高10℃，IS约增加一倍。 温度每升高1℃，VD(on)约减小2.5mV, 9. PN 结的电容特性 是PN结内净电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，以 CD 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 其中P型和N型半导体为单一类型半导体，存在体电阻。其阻值取决于半导体温度和PN结以外的几何尺寸。 P N 正极 负极 10. 二极管 二极管通常分为普通二极管、稳压二极管、发光二极管和光电二极管。其中，稳压二极管、发光二极管和光电二极管称为特殊二极管。 普通二极管的电阻特性 （1）反向特性。 二极管的反向电流主要由PN结的反向饱和电流 IS 决定。硅管的 为nA数量级，锗管的 为?A数量级。 （2）正向特性。 电流较小时，二极管的伏安特性更接近指数特性； 电流较大时，二极管的伏安特性更接近直线特性。 电流有明显数值时对应的外加正向电压称为门坎电压，记为Vth。硅二极管约为0.5V，锗二极管 约为0.1V。 Vth Si ⑴ 普通二极管参数 ① 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 ② 最高反向工作电压 U(BR) 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将是击穿电压 的一半。 ③ 反向饱和电流 IS 通常希望 IS 值愈小愈好。它受温度的影响。 利用 PN 结的反向击穿特性专门制成的二极管。 正常应用区域要求： IZmin iD IZmax -VZ iD -IZmin -IZmax + - VZ 0 vD ⑵ 稳压二极管 图：稳压管电路 VDZ R vo io + iD i v + RL 限流电阻R：保证稳压管工作在Izmin~ Izmax之间 动态电阻要小 11. 理想二极管 为了表示单向导电特性的方便，人们假设了一种叫做理想二极管的理想电路元件，如下图所示。该元件在反向电压作用时无电流通过，在有正向电流时无电压降。 vD + - iD 0 vD iD 12. 二极管电阻特性的近似模式 ⑴ 指数近似模型 通常，在一定运用范围条件下，忽略二极管体电阻后，将二极管的单向电阻特性描述为 该描述有一定的精确度，适于用于较精确的数学演绎分析。从数值分析来看，它不利于作定量的手工计算。 ⑵ 直折线近似模型 在一定的允许误差条件下，我们常将复杂的二极管特性用直折线来近似表示，如下图所示。 该近似描述强化了二极管的区域特性性质，突出了单向导电的特点，又有一定的精度。 vDVDO时，二极管特性近似为 VDO iD vD 0 式中，RD为折线B斜率的倒数；VDO为转折点电压，又称死区电压。锗管的约为0.2 V，硅管约为0.6 V。 i v VD0 i v VD(on) i v 0 按近似精度递减给出普通二极管常见的直折线近似等效模型曲线如下 直折线模型（1） 直折线模型（2） 直折线模型（3） 注：直折线