常用半导体器件分析.pptVIP

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 特性归纳 输入特性 同二极管的正向特性 UBE ? ? IB? 输出特性 一组曲线（一个IB对应一条曲线） UBE 0， UCE UBE 发射结正偏，集电结反偏 IC = ? IB 电流放大作用 UBE0， IB ? 0 发射结反偏 UBE 0， UCE UBE IC = ? IB 发射结正偏，集电结正偏 无电流放大作用 放大区 截止区 饱和区 1.4.4 主要参数 直流电流放大倍数： 1.电流放大倍数 交流电流放大倍数： 两者非常接近，通常用作： 一般为 20 ~ 200 2.集-射极反向截止电流ICEO ?A ICEO 基极开路时的集电极电流。随温度变化。 所以集电极电流应为： IC= ? IB+ICEO 特点：ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 3.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 4.集电极最大允许功耗PCM PC=ICUCE 必定导致结温上升，所以PC有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。 使用说明：手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 3END 1.6 光电器件 1.发光二极管与光电二极管 1）发光二极管 LED 发光器件 结构：由能发光的化合物半导体材料制作成PN结 功能：将电能转换成光能。 工作原理：PN结加正向电压导通时，发光； PN结加反向电压截止时，不发光。 导通电压：1 ~ 2V 导通电流：几 ~ 几十毫安，须接限流电阻 注意：光电二极管工作在反向状态！ 2）光电二极管 受光器件 功能：将光能转换成电能。 工作原理：光照时，产生随光照强度而增加的反向电流； 无光照时，反向电流很小。 注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！ 3）光电三极管 功能：将光能转换成电能，且有电流放大作用。 工作原理：无光照时，暗电流为 IC=（1+?）ICBO； 有光照时，光电流为 IC=（1+?）IL 。 IL为光照时流过集电结的反向电流。 达林顿光敏管 特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强； 传输信号失真小，工作稳定可靠。 4）光电耦合器 功能：由光将输入端的电信号传递到输出端。 工作原理： 输入端加电信号 发光二极管发光 光电三极管受光产生电流输出 END * 知识扩展 1. 本征半导体 Ge Si 本征半导体的导电机理 纯净的半导体。如：硅和锗 1）最外层四个价电子。 2）共价键结构 +4 +4 +4 +4 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原子 束缚电子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。 +4 +4 +4 +4 4）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 空穴 束缚电子 自由电子 在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 +4 +4 +4 +4 5）自由电子和空穴的运动形成电流 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 * Note: 小写字母 i, u, p 表示瞬时值；大写字母 I, U, P 表示直流量 * * * 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区