中南大学轻金属冶金学Ⅰ-Mg冶金部分材料.pptx

;第四讲 硅热法炼镁;■ 硅热法炼镁的基本原理;基于的反应： 2(MgO．CaO)十Si 2Mg十2CaO．SiO2 ;●MgO还原的热力学原理 必须使用对氧亲和力大于镁对氧亲和力的物质作为还原剂才行。 图1-1中绘出了一系列氧化物标准吉布斯自由能与温度的关系曲线。; 从上面图可知：各种氧化物的△G值均随温度的变化而变化，但变化的方向与幅度各不相同，有些曲线的相互位置都发生了变化。 从图还可推知，只有在温度超过2373℃以后，SiO2的稳定性才会高于MgO的，才能发生如下反应： ; 从前面知道，用硅还原氧化镁时，如果常压则温度必须超过2373℃，这在实际中实现起来很难，并且在此高温下，SiO2与MgO会反应生成硅酸镁 。; 从前面知道，常压下还原MgO的温度超过2373℃，当有CaO存在时，还原温度可降至1750℃，这么高温度在工业上实现起来有相当难度。 那么，如果将常压改为真空状态，会怎么样？右图是某些物质在不同真空度下吉布斯自由能与温度的变化关系。; 就反应：2MgO+Si=2Mg+SiO2而言，MgO、Si 、SiO2均为固态，其活度为1，此时，吉布斯自由能的表达式为—— △G=△G0+RTlnpMg 当反应中 pMg ＜101.325pa时， RTlnpMg为负值， △G ＜ △G0这有利于将反应的温度降低。 所以，硅热法炼镁，一般是在真空条件下进行。 ;■ 硅热法炼镁的原料与燃料;1) 原料;1) 原料;2) 燃料;■ 炼镁效率的影响因素分析;右图为p＝1716．2×105Pa，配硅比＝1．1时在不同的时间下，镁的还原效率与硅利用率随着温度变化而变化，图中虚线为镁的还原效率，实线为硅的利用率。此外还标注了时间为1-2h时镁的还原效率与硅的利用率的数值。; 上图表明： ○随着温度的升高，在同一还原时间内，还原效率和硅的利用率都有不同程度的提高。在低温区域内，镁的还原效率和硅的利用率与温度的关系近似为直线，曲线的斜度较大，也就是说，在低温区域内，同一时间内镁的还原效率与硅的利用率增加更为明显。 　　○当温度超过1150℃以后，还原效率与硅利用率增加较少，曲线趋于平缓。为了达到较高的镁的还原效率与硅的利用率，温度必须高于1150℃，但是，当温度超过1200℃以后，同一时间内的还原效率与硅的利用率增加也不多，由于还原罐的材质在高温下抗氧化的性能较小，故温度不能超过1200℃;所以，硅热法炼镁过程，最合适的还原温度范围是1150-1180℃，在这一反应温度范围内，镁的还原效率实验值可达93％-95％(还原时间为2h)，工业生产中镁的还原效率可达85％以上(还原时间为8h)，硅的利用率可达87％-88％(实验值)，工业生产中硅的利用率可达70％—75％。为了达到同样的还原效率，如果还原时间较短，则需更高的还原温度和进一步降低还原体系中的剩余压力(1—3Pa)o;在一定的还原温度与体系的剩余压力下，增加还原时间，可以使热传递的深度增大，还原反应彻底，从而，镁的产出率高，硅的利用率也高。右图在1100 ℃ 、1150℃、1200 ℃ 三种温度下，不同还原时间内镁的还原效率与硅的利用率变化。图中的虚线为镁的还原效率，实线为硅的利用率。; 上图表明，随着反应时间的延长，镁的还原效率和硅的利用率随之增加。在反应开始阶段，镁的还原效率和硅的利用率增加较快，曲线的斜率也较大。随着反应的进行，开始时反应速度很快，后来反应速度急剧减小，当反应进行一定时间后，曲线的斜率几乎为零，即反应速度近于零。由此表明，还原反应进行一段时间后，反应速度很慢，再延长反应时间已经没有意义了。对于不同的还原温度，达到最大镁的还原率的时间不同，1200℃时约为1．5h(实验值)，工业生产时为7．6h，1150℃时约为1．75h(实验值)，工业生产时为8．5h。; 从图中还可以看出，提高还原温度比延长还原时间更能增加产量和提高硅的利用率。但是在生产上由于还原罐材质受到影响，不能用提高还原温度来缩短还原周期(即缩短还原时间)达到高产的目的。这样做势必缩短了还原罐的寿命。所以在低于1180℃温度下还原可适当延长还原时间，但是绝对不能用提高温度、缩短还原时间来提高镁的还原效率和硅的利用率。;3) 制球压力;还原过程中反应式： 2(MgO．CaO)十Si 2Mg十2CaO．SiO2 其配硅比(M)为Si／2MgO＝1 此时镁的产出率一定，而硅的利用率最大。如果增大配硅比，则镁的产出率增大，硅的利用率降低，所以对硅热法炼镁而言，镁的产出率随配硅比的增加