氧化钒材料及其在红外探测应用的研究.pptVIP

而对于多晶结构的氧化钒薄膜，TCR不仅与激活能有关，而且受薄膜中各氧化物组份的比例即氧缺位、晶粒间界，膜的致密程度以及应力等多种因素的影响。晶粒间界的存在在禁带中引入杂质能级，降低了激活能，使热电阻温度系数下降，氧缺位在禁带中引入受主能级，也导致了激活能下降，另外氧缺位在薄膜中引入多余电子，温度升高，电阻率升高，部分非小了氧化钒半导体相的负热电阻温度系数。 影响氧化钒薄膜热电阻温度系数的因素 氧化钒材料及其在红外探测应用的研究 小组成员： 指导老师： 专业：光学工程 目录 摘要 红外探测器的发展方向是非制冷、低成本、小型化。具有优异热敏性能的氧化钒薄膜材料是红外探测器的首选热敏电阻材料。合适的薄膜电阻值且具有大的电阻温度系数（TCR）的氧化钒薄膜是实现高探测率的基础。本文对氧化钒的结构、相变原理及其在红外探测上的应用进行研究。 国内外研究现状 国内： 20世纪90年代起，兰州物理研究所报道过VO2材料的制备方法研究，并利用它们作为热致变色薄膜材料。电子科技大学和重庆光电研究所合作报道了它们制备VO2膜的研究，主要用途为制作室温工作的红外传感器。华中科技大学光电国家实验室九五期间在国家科技部和863计划支持下国内研制了一系列钒的氧化物膜系，其中利用VO2 薄膜材料研制了室温工作的红外传感器，达到下列技术指标：阵列规模：128 元线列；单元尺寸：50 ×50英寸；工作温度：室温；电阻温度系数(TCR):2%；噪声等效温差(NETD)：200 /mk。 此外，利用VO2为基的材料在MOS开关晶体管的研究方面，已完成原理性试验；在光开关的研究方面，已完成原理样片研究,并且基于光开关原理,研究了该材料在强激光防护方面的应用,在近红外光(1.06μm)和远红外(10.6μm)波段进行了抗强激光实验，测试结果表明：消光比为15左右，能量阈值为150 J/cm2，开关时间不高于1 μs。 国外： 美国Honeywell公司利用VO2为敏感红外线的薄膜材料，研制了320×240元室温工作的非制冷红外焦平面传感器，在20世纪90年代中期已经面市，被美国称为第三代红外传感器，开辟了红外技术在民用市场上的应用，目前每年以60%的市场增长率迅猛发展。加拿大国家光学研究院利用VO2和V2O5的半导体—金属态可逆转变，研制室温和高温应用的相变型光开关，美国纽约州先进传感技术和美国洛克威尔国际科学中心利用VO2和V2O3的金属—绝缘体在强激光作用下可逆转变，研制高速抗强激光防护材料，在10.6um激光作用下，消光比达到20dB。 此外，氧化钒系化合物在其他领域的应用研究也很活跃，例如作为变色材料，空间光调制器，光存储器，光信息处理器等。 VO2和V2O5的结构和特性 钒是一种过渡金属元素，活化能比较高，在空气中金属钒可以和氧结合形成多种价态的氧化物。自然界中，钒的价态可以从+2价到+5价之间变化，已经发现的钒的氧化物有十多种。 钒主要氧化物的性质比较 二氧化钒的结构 沿[011]方向堆叠的VO2的晶体结构 VO2在68℃附近发生由低温半导体态向高温金属态的转变，结构由单斜金红石型转变为四方金红石型。 金红石结构是 体心正交平行六面体 单斜结构体积是金红石结构的两倍，可以看作是两个金红石结构形变而来 金红石结构：体心正交平行六面体，体心和顶角由V4+离子占据，每个V4+离子位于略微变形的正八面体的中心，被六个O2-离子所包围，钒原子明显地与一个氧原子较为接近，而与其它氧原子的距离较远。该结构中，V4+离子的配位数是6，O2-离子的配位数是3。每个原胞中包含4个O离子，2个V离子。最近邻的钒原子间的距离为287pm，钒原子中的电子为所有的金属原子所共有。因此，它是一种n型半导体。 单斜结构：体积是金红石结构的两倍，可以看作是两个金红石结构形变而来，但是在单斜结构中，最近邻的钒原子间的距离由287pm变为265pm，在沿着氧八面体和相邻两个八面体共边连接成长链的方向上形成3V-V，钒原子间距离按265pm和312pm的长度交替变化，每个钒原子的d电子都定域于这些V-V键上，结果造成了在沿c轴方向上VO2不再具有金属的导电性。 五氧化二钒的结构 沿[100]方向堆叠的V2O5晶体结构 VO2晶体和V2O5晶体的主要区别 氧化钒的制备工艺 由于各氧化钒稳定存在的组分范围很窄，要制备单一组分的氧化钒薄膜是比较困难的。为此采用了各种方法来制备氧化钒薄膜，优化工艺参数，以获得性能优良的氧化钒薄膜。 1.溅射法 2.蒸发 3.脉冲激光沉积工艺 4.溶胶—凝胶法 1.溅射法 溅射是一种物理气相沉积（PVD）方法，