光电子实验讲述.doc

湖 北 理 工 学 院 电 子 与 光 电 子 材 料 实 验 教 案 授课教师： 张 校 飞 2012年2月 目 录 实验一：SX1944四探针法测量电阻率 实验二：压电材料的压电常数d33测试 实验三：电介质材料介电性能的测试 实验一 四探针法测量材料的电阻率 一、实验目的 （1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理 （2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 二、实验原理 半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一，已在微电子器件和光电子器件中得到了广泛应用。半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性，是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一，对半导体或金属材料电阻率的测量具有重要的实际意义。 直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。由图1(a)可见，测试过程中四根金属探针与样品表面接触，外侧1和4两根为通电流探针，内侧2和3两根是测电压探针。由恒流源经1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针2和探针3）之间的电压V23。 图1 四探针法电阻率测量原理示意图 若一块电阻率为的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以看作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为处等位面的面积为，电流密度为 （1） 根据电流密度与电导率的关系可得 （2） 距离点电荷处的电势为 （3） 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为 （4） 式中，为探针系数，与探针间距有关，单位为cm。 若四探针在同一直线上，如图1(a)所示，当其探针间距均为时，则被测样品的电阻率为 （5） 此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 有时为了缩小测量区域，以观察不同区域电阻率的变化，即电阻率的不均匀性，四根探针不一定都排成一直线，而可排成正方形或矩形，如图1(b)所示，此时只需改变电阻率计算公式中的探针系数即可。 四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备接触电极，极大地方便了对样品电阻率的测量。四探针法可测量样品沿径向分布的断面电阻率，从而可以观察电阻率的不均匀性。由于这种方法允许快速、方便、无损地测试任意形状样品的电阻率，适合于实际生产中的大批量样品测试。但由于该方法受到探针间距的限制，很难区别间距小于0.5mm两点间电阻率的变化。 根据样品在不同电流（I）下的电压值（V23），还可以计算出所测样品的电阻率。 三、实验仪器 SX1944型数字式四探针测试仪；硅单晶；TiO2陶瓷样品； SB118精密直流恒流源；直流数字电压表 1、概述 SX1944型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置， 它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻） 。换上特制的四探针测试夹具，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。 仪器由主机、测试探头（可选配测试台）等部分组成，测试结果由数码管直接显示。主机主要由精密恒流源，高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，自动转换量程。 仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。 仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能的测试。特别适用于要求快速测量中低电阻率的场合。 本仪器工作条件为： 温 度： 23℃±2℃ 相对湿度： 60%～70% 工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。 2、技术参数 （1）. 测量范围 电 阻 率： 10-4～105 Ω-cm 方块电阻： 10-3～106 Ω/□ 电 阻： 10-4～105 Ω （2）. 可测半导体材料尺寸 直 径： Φ15～100mm 长（或高）度： ≤400mm （3）. 测量方位 轴向、径向均可 （4）. 数字电压表： ①量程： 200mV ②误差：±0.1%读数±2字 ③最大分辨力：10μV ④精度： 4 1/2位 显示: 4位半数字显示，小数点自动显示 （5）. 数控恒流源 ①电流输出：直流电流0～100mA连续可调，由交流电源供电。