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可控硅（晶闸管）参数符号说明手册 参数符号说明: IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向重复峰值电压 IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率 di/dt--通态电流临界上升率 Rthjc--结壳热阻 VISO--模块绝缘电压 Tjm--额定结温 VDRM--通态重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流 1.额定电压 当门级开路，元件处于额定结温时，所测定的正向转折电压UB0和反向击穿电压UR0,先按制造厂家规定减去某一数值（如100V),分别得到正向不重复电压UDSM和反向不重复电压URSM,再乘以0.9,即得到断态正向重复电压和和反向重复电压，较小的那个取整作为晶闸管的额定电压. 若外加电压超过反向击穿电压会造成元件永久损坏，若超过正向转折电压。元件就会误导通，经过数次这样的导通，元件也会损坏。 一般按照电路的最大电压的2-3倍数选择晶闸管的额定电压。 2.额定电流 在环境温度为40度和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170度的电阻性负载的电路中，当不超过额定结温且稳定时,所允许通过的正弦半波电流的平均值,将该电流值按照晶闸管标准电流系列取值,成为晶闸管的额定电流. 平均值峰值关系IT_AV = Im/3.14 有效值峰值关系 IT = (1/2)*Im Kf = IT/IT_AV = 1.57 实际一般选 IT_AV = (1.5-2)*IT/1.57 3.通态平均电流 当晶闸管流过正弦半波的额定电流并达到稳定的结温时，晶闸管样机与应急之间的电压降的平均值，称为通态平均电压。 通态平均电压越小，管子的耗散功率越小，管子的质量越好. 4.维持电流 在室温和门极电流断开时，元件从较大的通态电流降到维持导通所需要的最小阳极电流，称为维持电流. 5.擎住电流 晶闸管刚才断态转到通态就去掉触发信号，能使元件保持导通的最小阳极电流,称为擎住电流. 一般擎住电流为维持电流的几倍. 6.断态临界电压上升率 在额定结温和门级开路的情况下，不使元件从断态转移到通态的最大阳极电压上升率，称为断态临界电压上升率. 晶闸管处于阻断状态下，PN结相当于一个电容，突然加一个正向阳极电压，会有充电电流流过这个结面，该电流经过门级和阴极之间的PN结的时候，会起到类似于触发电流的作用，从而导致误导通。可以在晶闸管两端并联阻容支路，限制断态电压上升率. 7.通态电流临界上升率 在规定条件下，晶闸管在门级触发开通时，所能承受的不导致损坏的最大通态电流上升率，称为通态临界电流上升率. 当门级输入触发电流时，晶闸管刚开始导通，如果阳极电流上升过快，就会有很大的电流集中在门级附近的小区域，造成局部过热，从而损坏晶闸管。 因此必须限制通态电流上升率，通常串联几个uH的电感. 8.门级不触发电压 不能使晶闸管从断态转换为通态的最大门级电压称为门级不触发电压 干扰信号应该被现在该数值以下. 9.门级触发电压和门级触发电流 在室温下，对晶闸管施加6V正向阳极电压时，使器件从断态转换为通态的最小门极电流称为门级触发电流，相应的电压称为门极触发电压。 10.门极正向峰值电压和门极正向峰值电流和门级峰值功率 在晶闸管触发过程中,不至于造成门级损坏的最大门极电压称，最大门级电流和最大瞬时功率，分别称为门级正向峰值电压，门极正向峰值电流以及门级峰值功率. 11.双向晶闸管额定电流 指的是在标准条件下，当器件单向导通角大于170度时,允许流过器件的最大交流正弦有效值. 双向晶闸管和普通晶闸管电流换算关系: IT_AV = (1.411/3.14)*IT_RMS ?12.实际的晶闸管触发电流 一般实际的晶闸管触发电流为2-4倍的门级触发电流. ?13.断态电压上升率限制阻容支路取值 R一般取50-100欧姆,C取0.1-0.47uF 14.无论普通晶闸管还是双向晶闸管导通压降均不得超过2V，且负载功率超过250W的时候就应该安装上散热器. ?15.双向晶闸管的门级控制 一般有过零触发和移相触发两种. 符号 英文单词参数 中文参数 说明 单位 IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取