嵌入式硬件材料.pptx

引脚的信号描述 ;总线控制;DRAM/SDRAM/RAM信号;LCD控制信号;定时器/PWM信号;异步串口信号;IIS总线信号;ADC信号;时钟与复位信号;JTAG信号;7.4 单元电路设计;7.4.1 电源电路;7.4.4 存储单元电路;;在程序空间flash ROM 内（在主板上对应2M 字节大小的HY29LV160器件）可以固化一段启动系统并对系统进行初始化的程序——Boot Loader 程序。在图7.9中flash ROM 存储器映射在了系统的bank0 上，也就是说，系统上电时处理器即从flash ROM 的0地址处取得指令开始运行。这个地址上的Boot Loader程序完成了时钟设置初始化、中断矢量的定义、存储器的参数设置、堆栈地址定义等工作，这些设置对于系统正常启动是非常重要的。由于flash ROM 是非易失性的存储器，因此程序就算掉电也不会丢失。但是如果由于某个误操作覆盖了flash ROM 中启动程序的内容，系统就将无法正常启动，这时就需要重新将Boot Loader程序烧写到flash ROM中 ; 系统的SDRAM 器件映射在bank6 上，也就是0x0C000000 地址处。SDRAM 是易失性的可快速擦写的存储器，因此它通常作为系统的数据空间，同时也作为系统程序的运行空间，当系统上电后，程序将从flash ROM 存储器被拷贝到SDRAM中运行，这样将大大提供程序的运行速度。当然，系统掉电后，SDRAM中的程序就消失了，下次上电时，程序将又从flash ROM 存储器被拷贝到SDRAM中运行。;;1 Flash存储器接口电路;在大多数的系统中，选用一片16位的Flash存储器芯片（常见单片容量有1MB、2MB、4MB、8MB等）构建16位的Flash存储系统已经足够，在此采用一片HY29LV160构建16位的Flash存储器系统，其存储容量为2MB。Flash存储器在系统中通常用于存放程序代码，系统上电或复位后从此获取指令并开始执行，因此，应将存有程序代码的Flash存储器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即将S3C44B0的nGCS0（Pin17）接至HY29LV160的CE＃端。;HY29LV160的RESET＃端接系统复位信号；OE＃端接S3C44B0的nOE（Pin15）；WE＃端S3C44B0的nWE（Pin16）；BYTE＃上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位数据宽度）；RY/BY#指示HY29LV160编程或擦除操作的工作状态，但其工作状态也可通过查询片内的相关寄存器来判断，因此可将该引脚悬空；地址总线[A19～A0]与S3C44B0的地址总线[ADDR20～ADDR1]相连，这是因为S3C44B0的存储系统在存储代码时需要半字对齐方式（16位方式）；16位数据总线[DQ15~DQ0]与S3C44B0的低16位数据总线[XDATA15~XDATA0]相连。 注意此时应将S3C44B0的DW0 [2:1]置为“10”，这两位指示BANK0的数据总线宽度，由OM[1:0]脚上、下拉确定。;;2 SDRAM存储器接口电路;目前常用的SDRAM为8位/16位的数据宽度，工作电压一般为3.3V。主要的生产厂商为HYUNDAI、Winbond等。他们生产的同型器件一般具有相同的电气特性和封装形式，可通用。 以嵌入式系统中通常使用的HY57V641620为例，简要描述一下SDRAM的基本特性及使用方法。HY57V641620存储容量为4组×16M位（8M字节）（ 4Bank?x?1M?x?16bits?Synchronous?DRAM ），工作电压为3.3V，常见封装为54脚TSOP，兼容LVTTL接口，支持自动刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self-Refresh），16位数据宽度。根据系统需求，可构建16位或32位的SDRAM存储器系统。 HY57V641620为16位数据宽度，单片容量为8MB，系统选用的两片HY57V641620并联构建32位的SDRAM存储器系统，共16MB的SDRAM空间，可满足嵌入式操作系统及各种相对较复杂的算法的运行要求。 ;需要将S3C44B0的nGCS6（Pin25）接HY57V641620的/CS端（第6个bank）；HY57V641620的CLK端接S3C44B0的nSCLK端（Pin28）；HY57V641620的CLE端接S3C44B0的nSCKE端（Pin27）；HY57V641620???/RAS、/CAS、/WE端分别接S3C44B0的nSRAS端（Pin8）、nSCAS端（Pin7）、nWE端（Pin16）；HY57V641620的A11～A0接S3C44B0的地址总线A