《电工学》(下)--电子技术A卷.docVIP

  四、综合、计算题(共48分) 1、放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻rbe=1kΩ,电流放大系数β=50,试求: 2、逻辑电路如图所示，列出逻辑式，化简之，并列出状态表。（8分） 3、电路如下图所示，已知U1=30V,稳压管电压UZ=14V，最大稳定电流Imax=15mA，电阻R=1.6KΩ,RL=2.8 KΩ试求电压表和电流表的读书（设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大）  4、分析下图电路，画出Q0、Q1、Q2的波形图，分析电路是几进制计数器。（8分） 5、某同学参加四门课程考试，规定如下：（12分） ⑴课程A及格得1分，不及格得0分； ⑵课程B及格得2分，不及格得0分； ⑶课程C及格得3分，不及格得0分； ⑷课程D及格得4分，不及格得0分； 若总得分大于8分（含8分），就可结业。试用与非门画出实现上述要求的逻辑电路。 湖南工业大学考试试卷纸 系(院) 　　　　　　 课程名称 　　　　　　　　 班级 　　　 姓名 学号 　　 密封线 课程名称: 《电工学》（下）－电子技术 （A卷 闭卷） 适用专业年级 : 材051－2、过051 考试时间100分钟 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 统分人 签名 题分 12 10 30 48 100 得分 考生注意事项：1、本试卷共 4 页，试卷如有缺页或破损，请立即举手报告以便更换。 2、考试结束后，考生不得将试卷、答题纸和草稿纸带出考场。(答案请写在密封线内和纸卷正面，否则不记分) 一、单项选择题（共12小题，每小题1分，共12分） 1、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A．温度 B．掺杂工艺的类型 C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷 2、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为 。 [ ] A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿 3、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ ] A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏 C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏 4、下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 5、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，正弦电压时，输出电压波形 出现了底部削平的失真，这种失真是 [ ] A．饱和失真 B．截止失真 C．频率失真 D．交越失真 6、当我们在电路中引入电压并联负反馈后，与基本放大器的输入、输出电阻 相比，反馈放大器的输入、输出电阻的变化是 [ ] A 输入电阻增大，输出电阻增大 B 输出电阻增大，输入电阻减小 C 输入电阻减小，输出电阻减小 D 输入电阻减小，输出电阻增大 7、已知下列结果中正确的是 [ ] A．Y＝ B．Y＝A＋B C．Y＝ D． 8、下图所示电路中三极管级间反馈的类型是 [ ] 9、全波整流电路中，已知输出电压平均值UO是27V，则变压器副边电压有效值U2是 [ ] A. 60 V B. 30 V C.22.5 V D. 24.3 V 10．下列说法不正确的是（ ） A．集电极开路的门称为OC门 B．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） C．OC门输出端直接连接可以实现正逻辑