半导体物理学刘恩科第七版 第3章半导体中载流子分布.pptVIP

第3章 半导体中载流子的统计分布 1、计算允带中的载流子浓度 2、获得载流子浓度随温度变化的规律。 需要的理论知识： 允许的量子态按能量的分布 电子在允许量子态上的分布 热平衡状态：一定温度下，产生和复合过程最终达到动态平衡。 热平衡状态下，半导体中导电电子、空穴都称为热平衡载流子。导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值。 温度改变，建立新的平衡态，热平衡载流子浓度随之改变。 3.1 状态密度 K空间允许的能量状态密度=V 考虑电子的自旋, 量子态密度=2V (三维晶格)。一个量子态只容纳一个电子 若为二维晶格，上述的V应该改为S。 3.1.2 状态密度 A. 量子态密度: 单位k空间中的量子态数. 半导体导带中的状态密度计算 简单假设：导带底处的极值k=0，等能面为球面，即E(k)～k关系为 代入(3.3式)得 实际情况：半导体材料，导带底等能面是旋转椭球面 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si、导带底有六个对称状态，s=6 mdn=1.08m0 对于Ge，s=4 mdn=0.56m0 价带顶附近E(k)与k关系 硅锗中，起作用的能带是轻空穴带和重空穴带两个极值相重合的能带。 其状态密度为两者之和，则价带顶状态密度的有效质量也为两者之和。 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 适用范围: 具旋转椭球对称的能带。 影响状态密度的因素: 1.等能面形状： 即电子的状态密度有效质量. 2.E的大小. 3.给定的晶体体积?影响分布密度。 3.2 费米能级和载流子的统计分布 经典物理统计： 麦克斯韦－玻尔兹曼统计 （粒子可分辩） 3.2.1费米分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律 k0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级。 描述热平衡下电子在量子态上如何分布的一个统计分布函数。 关键参数：EF (费米能级) ?是系统的化学势，F 是系统的自由能 当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统的自由能的变化， 刚好等于系统的化学势，也等于系统的费米能级。 对应关系： 对导带：能级Ec，状态密度是Nc 对价带：能级Ev，状态密度Nv 1. 温度 A、影响Nc和Nv：与温度T3/2成正比关系.电子、空穴浓度与温度有关 B、影响占据几率 2. EF在能带中的相对位置; 3.2.4 载流子浓度乘积n0p0 特点：n0p0的乘积只与温度、材料性质有关(态密度有效质量、禁带宽度)。与杂质含量无关。不同材料，Eg不同，n0p0也不同。对某种半导体，一定温度下， n0p0不变。 3.6 简并半导体 简并化条件，重掺杂，使得EF在导带底或价带顶2k0T范围以内。 导带底的量子态基本已被电子所占据。或价带顶空穴基本备空穴所占据。 玻尔兹曼分布不再适用，必须考虑使用费米统计分布 讨论： 1、为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？ 2、若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级约在什么位置？为什么？ 3、当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强N、弱N型半导体与强P、弱P半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。 问题与讨论： 1.为什么说半导体中起作用的是导带底或价带顶附近的电子？ 2.给出导带和价带中的载流子浓度分布公式. 3.温度对载流子浓度的影响，表现在哪几方面。 4. 定性画出不同温度下（200K、300K、400K）的费米能级分布（即EF随温度变化）情况。 ★本章重点内容★ 态密度的计算方法 允带(导带、价带)中的载流子浓度公式 杂质半导体中电离和未电离的杂质浓度公式 电中性条件 载流子浓度计算(电离、未电离) 1、n、p表达式的特点： 共同点：有效状态密度*占据几率。结构很对称 2、影响因素的特点（与占据几率影响因素一样）： 对gc(E)fF(E)求导可知，最多电子数的能级出现在x=1/2处，即E=Ec+koT/2。 对应载流子分布见图3-5或表3－1 硅、锗在室温（300K）下的有效状态密度： 再次强调注意： 各常见半导体中的有效状态密度： 7.57×1018 5.64×1018 1.83×1019 Nv (cm-3) 4.35×1017 1.02×1019 2.81×1019 Nc (cm-3) 砷化镓 锗 硅 有效状态密度和温度紧密相关 平衡条件 （3.25） （3.27） 公式推导过程中，没有涉及是本征激发，还是杂质电离的。因而这些公式具