半导体物理与器件 第五章非平衡载流子.pptVIP

第五章非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3准费米能级 *5.4复合理论 *5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散方程 5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 光生过剩电子和过剩空穴的浓度 5.1非平衡载流子的注入与复合 非简并半导体，处于热平衡时，电子浓度n0，空穴浓度P0 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 外界作用：注入△n， △p使 5.2 非平衡载流子的寿命 1.非平衡载流子并不是立刻全部消失，即它们在导带 和价带中有一定的生存时间，有的长，有的短。 2. 非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用?表示，单位秒。 3. 非平衡少数载流子起主导的、决定的作用，非平衡载流子的寿命常称为少数载流子的寿命。 5.2 非平衡载流子的寿命 5.2 非平衡载流子的寿命 某时刻t~t+dt间复合的载流子为Δp(t)/τdt,这些载流子的生存时间为t，总的生存时间为Δp(t)/τ t dt，对时间积分并除以总的载流子数（Δp）0，得到平均的非平衡载流子生存时间： 5.2 非平衡载流子的寿命 测量非平衡载流子的寿命的实验方法： 光电导衰减法 光磁电法  5.3准费米能级 非平衡载流子注入，就不再存在统一的费米能级了。但在同一能带内，由于载流子之间的相互散射，很快就可以达到平衡。在导带和价带之间，由于能量差别较大，不易达到平衡。即可认为导带和价带内部各自基本上处于平衡，称为准平衡。可以有各自的费米能级EFn和EFp，称为准费米能级。但导带和价带之间不平衡，所以EFn和EFp不重合。 5.3准费米能级 例题 在平衡和稳态条件下，半导体光照前和光照后的特性曲线由能带图如图3所示。温度T=300K，ni=1010cm-3,?n=1345cm2/V?s, ?p=458cm2/V.s。根据这些已知条件求： 1. 平衡载流子浓度n0和p0。 2. 在稳态条件下的n和p 3. 掺杂浓度ND 4. 当半导体被光照射时，是否满足小注入条件？说明原因。 5. 在光照前和光照后，半导体的电阻率是多少？ 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.7载流子的飘移运动，爱因斯坦关系 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外电场作用，则少数载流子空穴和电子的电流密度为 练习 题后习题13，14 由于载流子的扩散、漂移、复合和产生等不同过程的存在，非平衡载流子随时间和空间变化所服从的规律 –连续性方程 S表示载流子的流量：即单位时间从单位面积流入或流出的电子或空穴的数目。 gn，gp表示电子或空穴的产生率 体积元dxdydz内产生的空穴数为gpdxdydz, 由于复合消失的空穴数为 解：原半导体均匀掺杂，因此n0，p0均匀； 光照后均匀吸收，则△n, △p均匀分布，无扩 散，也无飘移，连续性方程为： 例4. 均匀掺杂的n型半导体, 左端表面光照恒定, 加均匀电场, 体内gp=0, 求稳态时非平衡少子的分布 这个方程的两个根 当WLp，即W/Lp1时 器件长度远小于扩散长度 扩散流密度是常数 μ反映载流子在电场作用下运动的难易程度； D反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度； 5.7载流子的飘移运动，爱因斯坦关系 爱因斯坦从理论上找到了μ和D的定量关系： 考虑一块处于热平衡状态的非均匀n型半导体，存在浓度梯度，电子扩散，因电离杂质不能移动，因而半导体内必然产生自建电场E，该电场使载流子发生飘移运动 在热平衡条件下，每处的载流子浓度应是不变的，电子的总电流和空穴的总电流分布等于0，即 5.7载流子的飘移运动，爱因斯坦关系 由于有电场的作用，电子的能量应该是：E-qV(x)，则 5.7载流子的飘移运动，爱因斯坦关系 代入 同理 非简并情况下，D与μ的定量关系 注：虽然D， μ的关系是针对平衡载流子推导出来的，但实验证明对非平衡载流子同样成立，因为刚激发的非平衡载流子虽具有和平衡时的载流子不同的速度和能量，但由于晶格的作用，在比寿命短的多的时间内就达到了平衡。 5.7载流子的飘移运动，爱因斯坦关系 归纳： 1、该关系适合于平衡，非平衡非简并情况； 2、非均匀载流子浓度会引起扩散； 3、由于载流子的扩散会导致自建场； 4、有电场存在则能带发生变化； 5