固体物理(第2课)常见晶格结构剖析.ppt

1. 硅圆片工艺 晶片: 只含有极少“缺陷”的单晶硅体。 “切克劳斯基法”生长单晶硅 “切克劳斯基法”:将一块称为籽晶的单晶硅浸入熔融硅中，然后在旋转籽晶的同时缓慢地把其从熔融硅中拉起。结果，就形成圆柱形的大单晶棒。 生长时，可在熔融硅中掺入杂质来获得期望的电阻率 。 直拉单晶硅 Silicon Ingots (400mm) 大单晶棒能切成薄的圆片（wafer） 在大多数CMOS技术中，圆片的电阻率为0.05到0.1Ω?cm，厚度约为500到1000微米。 chip 中科院半导体所研制成功我国最重最长4英寸液封直拉法砷化鎵单晶 中科院半导体所研制成功我国最重最长6英寸液封直拉法砷化鎵单晶 ⅠA 元素周期表 ? Ⅷ A ? H ⅡA 　 ? ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA ⅦA He ? Li Be B C N O F Ne ? Na Mg V ⅣB ⅤB ⅥB ⅦB Ⅷ ⅠB ⅡB Al Si P S Cl Ar ? K Ca Ga Ge As Se Br Kr Mn Sc Ti Cr Fe Co Ni Cu Zn ? Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe ? Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn ? Fr Ra Ac Rf Db Sg Bh Hs Mt ? ? 　 Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu 　 ? Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lr 　 ? 金属 惰性气体 非金属 过渡元素 ? * * * * * * * * * * * * * * * InSb 探测器阵列 320×240制冷 目前11所和211所已做出来。 金刚石和闪锌矿结构（2） (100面) (111面) 返回 金刚石和闪锌矿结构（3） 返回 原胞示意图 金刚石和闪锌矿结构（4） 晶格常数：硅 0.543nm, 锗 0.566nm 密度： 5.00×1022cm-3, 4.42×1022cm-3 共价半径： 0.117nm, 0.122nm. 淡黄色透明闪锌矿(金刚石光泽)... 返回 六方密积结构示意图1 返回 原子铺排方式：ABABAB…… 复式六方结构：Be、Mg、Ti、Zn 下一页 六方密积结构示意图2 返回 晶胞和原胞示意图 钙钛矿晶格结构（1） 钙钛矿类型结构(ABO3)的PZT (Pb {ZrTi}O3)是铁电随机存储器中使用的最常见的材料。在应用和排除外电场后，PZT的电极化（ Zr/Ti 原子的上/下移动）仍然存在，从而带来了非易失性的特质。因此，数据存储所消耗的电量非常小。 钙钛矿晶格结构（2） C60分子晶体 C60是由60个碳原子构成的球形32面体，即由12个五边形和20个六边形构成。其中五边形彼此不相连，只与六边形相连。每个碳原子以sp2杂化轨道和相邻的3个碳原子相连，剩余的p轨道在C60分子的外围和内腔形成键。 纤锌矿晶格结构（3-1） 纤锌矿晶格结构（3-2） 纤锌矿结构：六方硫化锌 纤锌矿晶格结构（3-3） 纤锌矿原胞 Chalcocite纤锌矿 纤锌矿晶格结构（3-4） 返回 晶向指数的求法示意图 返回 xy平面内晶向示意图(z=0) 说明：晶向指数代表一族晶列，而不指某一特定晶列。 返回 晶面族 o 密勒指数的求法示意图 返回 晶面间距示意图 晶面截距公式推导 重要晶面 （100） （110） （111） 六方晶系的晶向指数和密勒指数 [ ]晶向 ( )晶面 在各轴上的投影 晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组：W. Schokley，J. Bardeen、W. H. Brattain Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想， Brattain设计了实验； 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管； 晶体管的发明 1947年12月23日 第一个点接触式 NPN Ge晶体管 发明者： W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 获得1956年Nobel物理奖 集成电路的发明 1952年5月，英国科学家G. W. A. Dummer第一次提出了集成电路的设想。 1958年以德克萨斯仪器公司（TI）的科学家基尔比(Clair Kilby,Intel创始人之一)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果。 集成电路的发明 1958年世界上第一块