第一章 单晶材料的制备-4.ppt

晶体的截面形状和尺寸则为模具顶部边缘的形状和尺寸所决定，而不是由毛细管狭缝决定。 EFG法生长蓝宝石晶体过程示意图 导模法生长晶体时晶体不旋转 11、液封提拉（LEC）技术 液封提拉法实际上是一种改进了的直拉法，它是专为生长具有挥发性的III-V族化合半导体材料而发展起来的。 Liquid Encapsulant Czochralski, LEC InP单晶的生长 In：易熔化（熔点：156oC），蒸汽压比较高。 赤P：易升华（熔点：590oC），416oC升华。 磷未熔化就升华 问题： In(l)+P(g)=InP(s) (InP熔点：1070oC) 作业 1、简述晶体生长过程中的能量守恒方程及控制晶体直径的四种方式。 2、晶体直径自动控制技术包括哪两种，各自原理是什么？ 3、简述导模技术和液封提拉（LEC）技术的原理。 第一章 单晶材料的制备 ——提拉法 缩颈 收尾 等径 扩肩 下籽晶 为了在生长过程中承受更大重量的硅单晶体，必须采用更大的缩颈直径。生长直径在300mm、质量超过300kg的硅单晶时，缩颈部分的直径不能小于8mm。拉伸实验表明颈部晶体发生断裂时为脆性断裂，由于应力集中的原因，断裂常发生在颈部与肩部结合处。晶体颈部及肩部的生长条件对晶体的抗拉强度有重要影响。 生长质量低于100kg的硅单晶时，缩颈部分的直径一般