第一章ch模拟电子技术.ppt

* 限流电阻R的选择： 选择R的限制条件：当Ui、RL变化时，Iz应满足Izmin<Iz<Izmax 设外界条件为:Uimin<Ui<Uimax；RLmin<RL<RLmax 图1-22 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo * 图1-22 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo 分析过程： 根据电路： Iz何时取最大值？ ——ui=Uimax，RL=RLmax * 图1-22 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo * 图1-22 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo Iz何时取最小值？ ——ui=Uimin，RL=RLmin * Rmin < R < Rmax 因此，可得限流电阻的取值范围是： 图1-22 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo * 1-4习题讲解 V2导通，V1截止， UO＝5V。 二极管等效为理想模型 V1导通，V2截止，UO=0V。 V1导通，V2导通UO=1.98V。 * 1-7 在图P1-7所示的电路中，设二极管为理想二极管。当输入电压ui由0逐渐增加到10V时，试画出输出电压ui与uO的关系曲线。 * * 1-10 稳压二极管电路如图P1-10所示，已知稳压管的UZ=6V，限流电阻R=100Ω。 (1)当RL=200 Ω时，稳压管的IZ=?UO=? (2)当RL=50 Ω时，稳压管的IZ=?UO=? * 解：（1） （2） * 作 业 1.1,1.3,1.4 1.7,1.9,1.10 * 小 结 2. PN 结是现代半导体器件的基础。它具有单向导电性、击穿特性和电容特性。 1. N型半导体中，电子是多子，空穴是少子； P型半导体中，空穴是多子，电子是少子；多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度很小且随温度的变化而变化。 3. 半导体二极管由一个PN结构成，大信号应用时表现为开关特性。 4.利用PN 结的击穿特性可制作稳压二极管。用稳压二极管构成稳压电路时，首先应保证稳压管反向击穿，另外必须串接限流电阻。 * 早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 电子管在电器中用字母“V”或“VE”表示，旧标准用字母“G”表示。 * 二极管：爱迪生发现了电灯泡灯丝发射电子的“爱迪生效应”。1904年，英国人弗莱明受到“爱迪生效应”的启发，发明了二极管。　　三极管：1907年，美国的福雷斯特发明了三极管。当时，真空技术尚不成熟，三极管的制造水平也不高。但在反复改进的过程中，人们懂得了三极管具有放大作用，终于拉开了电子学的帷幕。 四极管：1915年，英国的朗德在三极管的控制栅极与阳极之间又加了一个电极，称为帘栅极，其作用是解决三极管中流向阳极的电子流中有一部分会流到控制栅极上去的问题。 五极管：1927年，德国的约布斯特在阳极与帘栅极之间又加了一个电极，发明了五极管。新加的电极被称为抑制栅。加入这个电极的原因是：在四极管中，电子流撞到阳极上时阳极会产生二次电子发射，抑制栅就是为抑制这种二次电子发射而设置的。 此外，1934年美国的汤绿森通过对电子管进行小型化改进，发明了适用于超短波的橡实管。 管壳不用玻璃而采用金属的ST管发明于1937年，经小型化后的MT管发明于1939年。 * 该系统的发射机部分体积小、重量轻，可由教师随身携带； 接收机放置在教室的授课台下面，调试好发射机和接收机的频率，教师的声音可以通过无线发射机发送出去，接收机通过接收模块和功率放大模块将接收到的信号转换为音频信号并进行放大 该系统所涉及的知识包括半导体器件、晶体管放大电路、功率放大器等。 瑞萨电子 2011/08/24-赵凯期?? 为NEC电子(NEC?Electronics)、瑞萨科技(Renesas Technology)于2010年4月1日所合并成立的公司，主要产品包含MCU、类比及电源控制芯片、系统单芯片(SoC)等。其中，NEC、日立和三菱电机(Mitsubishi Electric)为瑞萨电子现今的3大股东，合计持有约90%股权。瑞萨电子目前为全球第1大MCU芯片供应商，2010年在全球芯片供应商中排名第5，前4强分别为英特尔(Intel)、三星电子(Samsung?Electronics)、东芝(Toshiba)、德州仪器(Texas Instruments)。瑞萨电子同时也是日系车厂的首要MCU供应商，在全球汽车电子市场也占有领先地位。 * * 二、反向特性 2.小功率二极管的反向电流很小。 一般硅管<0.1?A，锗管<几十微安。 1