Densification theory of Ceramics 主要内容:概述 烧结机理 晶粒生长与二次再结晶 影响烧结的因素 概述 常规烧结 (是否出现液相) 是一种基本烧结方式,简单易行,适用于不同形状和尺寸的构件的烧结,温度容易控制,适用于大规模生产。 对材料致密化控制较困难。 电阻加热 气氛真空、保护气氛(N2、Ar、H2) 发热元件 耐热合金电阻丝,如Ni-Ti合金,最高温度1100 ℃,一般1000 ℃ SiC电阻棒,最高温度1500 ℃,一般1400 ℃ 硅钼棒(MoSi2),氧化气氛中最高使用温度1700℃,一般800~1600 ℃,还原气氛中1700℃ 可以长时间使用 石墨,非氧化气氛,2300 ℃ 钨棒,还原气氛, 2000 ℃ ZrO2,氧化性气氛,1600℃ 模具的选择: 1) 材料与模具在热压期间具有良好的化学稳定性 2) 模具应具有良好的力学性能、良好的抗蠕变性能、断裂模数、极限强度 3) 模具与试样具有良好的热匹配 ------气压烧结(Gas Pressure Sintering) 气压烧结(Gas Pressure Sintering) 与HIP不同 1、压力比较低 2、常用N2等 Si3N4(
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