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改进的两步法制备ZnO纳米棒阵列 主要部分 一、ZnO的性质及应用 二、ZnO纳米棒的制备常用方法方法 三、两步法制备ZnO纳米棒阵列及其生长机制 1. 两步法制备的ZnO纳米棒阵列 2. 影响因素：生长时间、浓度、放置方式 3. 生长机制 4. 结论 一、ZnO的性质及应用 ZnO:直接带隙宽禁带半导体：室温下3.37eV 非常大的激子束缚能：60meV 气敏和压电性质 无毒，生物相容性 自组装特性：纳米棒[1]、纳米梳[2]、纳米弹簧[3]等 ZnO纳米棒阵列具有非常奇特的性质,现在已经用于很多器件. D 做仿生疏水材料 二、ZnO纳米棒的制备常用方法方法 2.1两步法制备ZnO纳米棒的理论基础 Govender等人证明：先生长一层ZnO籽晶层，制备得到的ZnO薄膜结晶质量高。 Verges认为这是一种非常慢的动力学过程，也就是准平衡态的生长，并且可以用于纳米棒的生长。 Yamabi证明了直立的ZnO纳米棒阵列只能在结晶的ZnO基底上生长。 三、两步法制备ZnO纳米棒阵列及其生长机制 1.两步法制备的ZnO纳米棒阵列 2.影响因素：生长时间、浓度、放置方式 3.生长机制 4.结论 1.两步法制备的ZnO纳米棒阵列 条件： Zn(CH3COO)2·2H2O 和C6H12N4 0.1m/l、90℃、3h a 籽晶层：D=80nm b 纳米棒（无籽晶） D=500nm，L=2.5-3mm c/d 纳米棒（两步法） D=130nm，L=2.66mm e HRTEM图和选区电子衍射 优异的单晶质量 （a）籽晶层：薄膜取向一致（磁控溅射工艺成熟） （b）未退火，（c）550℃退火1小时 注：这里已经扣除系统引起的误差约0.1 ° 2.1 影响因素——生长时间 0.05m/l 2. 2影响因素——浓度 2.3 影响因素——放置方式 (b).相当于两个供应源：吸附溶液中的ZnO，溶液中的ZnO在重力作用下沉积。 (a).竖直放置优势：长径比适中、便于清洗、 生长出来纳米棒，有利于研究生长机制 3.生长机制 1. 晶核生长受溶液和衬底共同影响。先生长纳米棒的晶核。 2. 长度生长受溶液浓度影响。（0001）方向生长速度最快。 结论 参考文献 [1] 王烨，中国科技大学硕士论文. 2007 [2] Wang X D et al., Science Vol 316 2007 102 [3] Yan et al., J. Am. Chem. Soc. Vol. 125, 2003, 4728 [4] Wan Q et al., Appl. Phys. Lett. Vol. 84 2004 3654 [5] Huang et al., Science Vol 292, 2001, 1897 [6] Yan et al., J. Am. Chem. Soc. Vol. 125, 2003, 4728 [7] Kong et al., Nano Lett., Vol. 3, 2003 1625 [8] Kurtis et al., Nano Lett., Vol. 7, 2007 1973 * 报告人：刘艳松 成 员：姜桂铖 陈 锬 (22组) 刘 玲 黄志辉 ZnO 结构示意图 [1] Huang et al., Science Vol 292, 2001, 1897 [2] Yan et al., J. Am. Chem. Soc. Vol. 125, 2003, 4728 [3] Kong et al., Nano Lett., Vol. 3, 2003 1625 [1] Wang X D et al., Science Vol 316 2007 102 [2] Yan et al., J. Am. Chem. Soc. Vol. 125, 2003, 4728 梳状ZnO 纳米线制备紫外激光器阵列 利用ZnO 的压电效应制备出来纳米发电机 功率：1-4W/cm3（微米振动发动机的100倍） 光电阳极 光电阴极 中间为 电解质 C Internal quantum efficiencies as high as 50-60% were also obtained. Schematic of the quantum-dot-sensitized solar cell. 可见光 出淤泥而不染，濯清涟而不妖（周敦颐 爱莲说） 缺陷多、结晶质量不理想 温度低、成本低、大面积生产 液相法 设备昂贵、不利于生产 结晶质量高 PLD和MOCVD 需制备合适的