光电探测-3.3（zm2011）光伏探测器教案.pptVIP

3.3 光伏探测器 （PV-Photo Voltaic ） 3.3.1 光伏器件原理 3.3.2 光伏器件性能 3.3.3 光电二极管 3.3.4 光电三极管 3.3.5 其它光伏器件 3.3.6 光电池（专题） 3.3.1 光伏器件原理 3.3.2 光伏器件性能参量 参见课本p191-195 一、响应率二、噪声三、光谱特性四、频率特性五、背景限 3.3.3 光电（光敏）二极管 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。它和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因此它的频率特性特别好。光生电势与光电池相同，但输出电流普遍比光电池小，一般为数微安到数十微安。 按材料分，光电二极管有硅、砷化稼、锑化锢、铈化铅光电二极管等许多种。按结构分，也有同质结与异质结之分。其中最典型的还是同质结硅光电二极管。 一、硅光电二极管 （2）光电二极管的电流方程 2.硅光电二极管的主要特性 (3) 光谱响应 (4)响应时间和频率特性 (5) 反向工作电压 (6) 暗电流 二、PIN型光电二极管 ——PIN管 PIN原理动画 几种PIN型光电二极管特性参数 1. 工作原理 3.噪声 4.几种典型的APD RAPD原理动画 Resonate－cavity APD Waveguide APD …… 光电二极管产品 3.3.4 光电三极管（光电晶体管）phototransistor 一. 工作原理 二. 光电三极管特性 2.时间响应（频率特性） 3.温度特性 4.光谱响应 光电三极管产品 光电三极管 无基极引线的光电三极管：它是依靠光的“注入”，把集电结光电二极管的光电流加以放大，从而在集电极回路中得到一个被放大的光生电流。注入的光强不同，得到的光生电流也不同。无基极引线光电三极管实际使用时有电流控制和电压控制两种电路。 有基极引线的光电三极管：具有基极引线的光电三极管，可以在基极上提供一定偏流，以减少器件的发射极电阻，改善弱光条件下的频率特性，同时使光电三极管的交流放大倍数β进入线性区，有利于调制光的探测。适用于高速开关电路和调制光的探测。 3.3.5 其它光伏器件 肖特基光电二极管是利用肖特基势垒收集光生载流子的光电探测器。所谓肖特基势垒就是指金属和半导体相互接触而在其界面处产生的势垒。其特性基本类似于PN结光电二极管。 基本原理（以N型半导体为例）： N型半导体和金属相互接触并达到热平衡状态时，在其界面的半导体一侧出现一层正电荷，而在金属一侧出现一层负电荷，这两层极性相反的空间电荷构成载流子的阻挡层和耗尽层，于是，金属－半导体结区形成肖特基势垒，其电场方向由N型半导体指向金属。在施加反向偏压时，耗尽层变厚，肖特基势垒及其电场也增加。 特点一：由于肖特基势垒在半导体附近表面处，光直接在势垒区产生载流子，减少了扩散时间和扩散过程中的复合损失，因此具有响应时间短、量子效率高的特点。可探测5～10ns的脉冲信号。 特点二：光谱响应范围宽（0.2～1.1μm），0.4～0.6μm的响应优于一般硅光电二极管。 特点三：可直接采用硅集成电路工艺，是红外焦平面器件优选光敏器件。光敏面可以做的很大，均匀性好、动态范围大，很适合作四象限探测器。 肖特基光电二极管的主要应用场合是超高速。肖特基光电二极管的半导体材料有Si和GaAs，GaAs肖特基光电二极管是超高速光电探测器的主要产品。从减少暗电流观点来看，尽管肖特基不如PIN有效，但还是可以制作出小于10nA暗电流的肖特基光电二极管，而且它的电容比相同面积的PIN光电二极管小的多。 二. 色敏光生伏特器件 三.光伏器件组合器件 1、象限阵列光伏器件组合件 2、线阵列光伏器件组合件 3、楔环阵列组合件 四. 光电位置敏感器件（PSD－Position Sensing Detector） 2. 一维PSD器件 3.二维PSD器件 五. 光电开关和光电耦合器（optical switch and coupler） 小 结（见课本p209） 光伏探测器根据内建电场形成的结势垒不同，有pn结、pin结、肖特基结等不同结构。 APD管具有内增益，可大大提高探测器的灵敏度和响应频率，适合微弱光信号的探测。 光伏探测器可以工作于零偏和反偏两种状态。 光伏探测器的噪声主要包括散粒噪声、暗电流噪声和热噪声。总噪声与所加偏压有关。 光伏探测器的响应速度比光电导探测器快。 光伏器件的各种参量基本上都与温度相关。降低工作温度将减小暗电流和噪声。 一.肖特基光电二极管（Schottky Barrier Photodiode） 色敏光生伏特器件是根据人眼视觉的三原色