成都理工大学传感器考试题4附答案刘易老师.docVIP

成都理工大学《传感器原理与应用》试题4 一、填空题：（30分） 1、传感器是_____________________________________传感器通常由直接响应于被测量的_______产生可用信号输出的_______________以及相应的_____组成。 2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为① ____ 材料和② _________体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中金属材料的电阻变化主要是由____形成的，而半导体材料的电阻变化主要是由 ___造成的。材料传感器的灵敏度较大。 3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M的大小与成正比，与____成正比，与磁回路中____成反比，而单个空气隙磁阻的大小可用公式 ______表示。 4、测量过程中存在着测量误差，按性质可被分为_____ 、_______ 、和_____ 三类，其中 _____可以通过对多次测量结果求____ 的方法来减小它对测量结果的影响。 5、光电传感器的工作原理是基于物质的光电效应，目前所利用的光电效应大致有三大类：第一类是利用在光线作用下___________现象，即效应，____传感器属于这一类；第二类是利用在光线作用下______现象，即效应。传感器属于这一类。第三类是利用在光线作用下现象，即______效应，______ 传感器属于这一类。 6、热电偶所产生的热电势是由_______________电势和___________电势组成。其表达式为Eab（T，T = ）___________________。在热电偶温度补偿中，补偿导线法（即冷端延长线法）是把__________________________________导线与热电偶配接。它的作用是___________________。 二、问答题：（30分） 1、什么是传感器动态特性和静态特性，简述在什么频域条件下只研究静态特就能够满足通常的需要，而在什么频域条件下一般要研究传感器的动态特性？（10分） 2、简述霍尔电势产生的原理。（10分） 3、分析应变片式传感器在使用单臂电桥测量电路时由于温度变化而产生测量误差的过程。（10分） 三、分析、计算题：（40分） 1、分析如图1所示自感传感器当动铁心左右移动（x1,x2发生变化时自感L变化情况。已知空气所隙的长度为x1和x2，空气隙的面积为S，磁导率为μ，线圈匝数W不变）。（10分） 2、分析如图2所示变介质平板电容传感器，电容（C）变化对液位变化（x）的灵敏度。已知长方形极板的长为l，高为h，极板间距离为d，容器内下面介质的高度为x(x h)，介电常数为ε2，容器内上面介质的介电常数为ε1。（10分） 3、设5次测量某物体的长度，其测量的结果分别为：9.810.010.19.910.2厘米，若忽略粗大误差和系统误差，试求在99.73％的置信概率下，对被测物体的最小估计区间。（10分） 4、在对量程为10MPa的压力传感器进行标定时，传感器输出电压值与压力值之间的关系如下表所示，简述最小二乘法准则的几何意义，并讨论下列电压-压力直线中哪一条最符合最小二乘法准则？（10分） 测量次数I 1 2 3 4 5 压力xi（MPa） 2 4 5 8 10 电压yi（V） 10.043 20.093 30.153 40.128 50.072 （1）y=5.00x-1.05 （2）y=7.00x+0.09 （3）y=50.00x-10.50 （4）y=-5.00x-1.05 （5）y=5.00x+0.07 成都理工大学《传感器原理与应用》试题4（答案） 一、填空题：（30分） 1、传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。 2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为①_金属_材料和②_半导体_体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中金属材料的电阻变化主要是由_电阻应变效应_形成的，而半导体材料的电阻变化主要是由 压阻效应 造成的。半导体_材料传感器的灵敏度大。 3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M的大小与绕组匝数 成正比，与穿过线圈的磁通成正比，与磁回路中磁阻成反比。 4、测量过程中存在着测量误差，按性质可被分为_绝对误差、相对误差 _、和引用误差三类，其中绝对误差可以通过对多次测量结果求平均的方法来减小它对测量结果的影响。 5、光电传感器的工作原理是基于物质的光电效应，目前所利用的光电效应大致有三大类：第一类是利用在光线作用下材料中电子溢出表面的__现象，即外光电效应，光电管以及光电倍增管_传感器属于这一类；第二类是利用在光线作用下材料电阻率发生改变的现象，即内光电效应。光敏电阻传感器属于这一类。