第一章(我的半导体材料).pptVIP

半导体材料 电子工程学院微电子专业 刘红梅 绪论 半导体材料是指电阻率在109-10-3Ω·cm, 界于金属和绝缘体之间的材料。 在微电子技术发展的过程中，材料科学和技术起着非常重要的作用，材料是半导体技术发展的基础。在材料方面的每一次革新都会使微电子技术出现飞跃， 迈上一个新台阶。 半导体材料的发展与半导体器件密切相关，半导体器件的需求是材料发展的动力，而材料质量的提高和新材料的出现，优化了器件的特性并促进新器件的研制。 半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。 人类对半导体材料的认识从十八世纪电现象被发现以后开始的. 良导体: 小于10-6 (?cm) 半导体: 10-3~109(?cm) 绝缘体: 小于1012(?cm) 半导体材料的主要特征 电阻率大体在 10-3—109(?cm) 范围； 负的温度系数； 通常具有很高的热电势； 具有整流效应； 具有敏感性； 载流子有两种不同的导电类型； 半导体的发展过程 上世纪３０年代初 由于量子力学的发展,布洛赫.布里渊等人提出了能带理论，固体能带论揭示了半导体的本质,为材料和器件的发展打下了坚实的理论基础。 1948年 巴丁、布拉顿、肖克莱共同发明了锗三极晶体管，这一发明引起了整个电子工业的革命，从此人类由电子管时代进入到半导体时代。 1950年 梯耳和利特耳用直接法从熔体中拉出较大的锗单晶。 1952年 蒲凡采用区域提纯法,得到了高纯锗,满足了制备器件的需要.由于锗的资源稀少,不易提取,而硅含量丰富,且半导体性能比锗好,因此研究重点又转向硅. 梯耳用直拉单晶法生长硅单晶，凯克用悬浮区溶技术提高硅的纯度 1955年 德国西门子公司成功地在硅芯发热体上用氢还原三氯硅烷制得了高纯硅，并在1957年实现了工业化生产。 六十年代初 出现外延生长薄膜工艺,与硅的其它微加工技术结合,形成硅平面器件工艺 1952年 韦尔克发现同周期中Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物是半导体，又发现大批二元，多元半导体材料，这些化合物具备许多Si、Ge不具备的优良特性。 1965年 发明氧化硼液封拉制GaAs ，为工业化生长Ⅲ－Ⅴ族化合物打下基础。 70年代 应用分子束外延(MEB)和金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术，为半导体材料的发展奠定了基础。 90年代初 获得高质量P型CaN外延薄膜材料，制作高亮度蓝色发光二极管 在半导体产业的发展中 第一代半导体材料：硅、锗 第二代半导体材料：砷化嫁、磷化铟、磷化嫁、砷化铟、砷化铝及其合金 第三代半导体材料：氮化嫁、碳化硅、硒化锌和金刚石等。 Si 硅材料具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性能优良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优点，处在成熟的发展阶段。 目前，硅材料仍是电子信息产业最主要的基础材料，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。 但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用。 GaAs 砷化嫁材料的电子迁移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高频、高速和光电性能，并可在同一芯片同时处理光电信号，被公认是新一代的通信用材料。 随着高速信息产业的蓬勃发展，砷化嫁成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛，并占据不可取代的重要地位 GaN GaN材料的禁带宽度为硅材料的3倍多，其器件在大功率、高温、高频、高速和光电子应用方面具有远比硅器件和砷化嫁器件更为优良的特性，可制成蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。 近年来取得了很大进展，并开始进入市场。与制造技术非常成熟和制造成本相对较低的硅半导体材料相比，第三代半导体材料目前面临的最主要挑战是发展适合GaN薄膜生长的低成本衬底材料和大尺寸的GaN体单晶生长工艺。 半导体材料发展现状?1 半导体硅材料 硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅。半导体器件的95%以上是用硅材料制作的，90%以上的大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、甚大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。硅片被称作集成电路的核心材料，硅材料产业的发展和集成电路的发展紧密相关。 半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能