合成技术低温技术剖析.pptVIP

3.1 低温技术 低温：低于室温的温度。 低温技术的发展为某些挥发性化合物的合成及新型无机功能材料的合成开辟了新途径。 1962年，Weeks等人在-60℃下用紫外光照射Kr、F2 混合物，未得到KrF2。 1966年，Streng将Kr、F2 (或 F2O)按1∶1装入反应器内，在常温下用日光照射5周，说得到了KrF2，但未被重复。 1975年，Slivnik在 -196 ℃用紫外光照射Kr、F2 混合液体48h，得到了KrF2。 实验证明T 对光化学反应的影响很大。 利用光化学反应，可以在低温下合成XeF2、KrF2等稀有气体化合物。 例如XeF2的合成，由于氟在紫外区的吸收谱带为250~350nm，最大吸收值在290nm处，于是采用1kW高压汞弧灯的紫外光作光源，经硫酸钴、硫酸镍溶液滤光后，波长约270nm的光线占75％。该光线由石英透镜聚焦，透过蓝宝石小窗，射入反应室，反应室内已装好的分压各为6666Pa的氙、氟，在紫外光的照射下化合为XeF2。 图3-3 光化学合成XeF2的装置示意图 其光化学合成的机理是：分子氟受激分解为原子氟，原于氟与氙生成自由基XeF，然后XeF与XeF或F原于碰撞生成XeF2。