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一、PSG单、多晶硅片表面化学腐蚀处理 目的 1.规范操作作业，指导操作员的操作方法，操作步骤及操作注意事项。 2.去磷硅玻璃主要反应方程式:SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2 3. A.磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 B.死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 原理 利用HNO3和HF的混合液体对硅片表面进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 范围 本指导书适用于硅片湿法刻蚀工序。 职责 1.所有操作人员都必须严格按照本档进行操作。 2.在操作过程中遇到问题应及时向工艺人员反应，工艺人员及时提供帮助。 什么是PSG 意为含有P、P2O5的二氧化硅。由于在扩散过程中干氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5后，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n行层，部分则留在了SiO2中形成PSG。 PSG制绒流程 作用内容： 一、操作前准备： 1.正确穿好工作服、鞋、帽，戴好口罩、手套（如图1）。 2.工具要求：手套、四探针测试仪、酒精、下料盒、碎片盒、电子称。 3.设备检查：a.槽体是否漏液。 b.检查纯水、压缩空气是否正常，各工艺参数是否是工艺所要求的参数。 c. 检查外围冷却水温不能高于18度，进出水压差不少于3KG。 d.检查排风是否正常。 e.DI水流量每小时不低于1000L/h。 f.检查各滚轴，水刀、风刀是否正常。 操作的工作流程 一、1.在配槽结束后，返回主页面，（如图2） 然后点击”手动停止”然后”YES”（如图3）。 2.手动停止后。点击自动启动按钮，开始投入生产。 3. 待生产结束后，进入主页面，点击相应的槽体，单击废液排放，然后点击启动（如图4）注意：3号槽和7号槽的浸泡去不会自动结束，需要在槽体排放结束后手动结束浸泡区排放。 4.待废液完全排放完之后，点击进入相应槽位，然后点击清洗。然后将停止点 击启动。用水枪彻底冲洗槽体10分钟，使槽体彻底清洗干净。 5.在确定槽体清洗干净后，废液已经排放干净。然后点击相应槽位（如图5） 检查配液参数，在确定配槽参数无误后，点击配槽，等待下班来交接班。 二、上料 1.从扩散传递窗拿出扩散后的硅片，检查确认数量。将确认后的硅片取出。 2.用左手取适量硅片（一次拿片不得多于50片），右手轻轻捻开，逐片放到上料位的滚轴上（如图6）。 注意轻拿轻放，做到放片时听不到声音。每道硅片之间距离应保持1CM（如图7）。 三、清洗流程 1.检查制绒槽温度（2.5—3.5度），超出工艺规定范围时立即停止生产，待温度恢复正常后再投入生产。 2.检查各槽风刀运行情况，确保硅片吹干（确认各槽出来硅片边缘无水珠，11#槽出来后正反面和边缘均没有水珠）。 3.检查水洗槽水刀运行情况，确认喷淋效果，严禁水刀水流量过大，避免窜槽问题的出现。 4.每批次称量硅片减薄量。（方阻上升2-6，减薄量控制在0.04-0.10g ） 5.检查绒面情况确保吹干硅片（硅片表面及后边缘无明显水珠） 四、下料 1.下料时，盯好机器，使硅片完整无误的进入片盒。目测硅片表面是否出现异常。如有异常，立即通知当班工艺。 2.做完一批，正确填写好流程卡交下工序（不能在外面停留太长时间，超过半小时后返工） 二、5S及工艺卫生、安全 一、5S：分别有整理、整顿、清扫、清洁、素养。 整理-----1.将工作场所任何东西区分为有必要的与不必要的； 2.把必要的东西与不必要的东西明确地、严格地区分开来； 3.不必要的东西要尽快处理掉。 4. 正确的价值意识----使用价值，而不是原购买价值. 整顿-----1.对整理之后留在现场的必要的物品分门别类放置