1 单晶材料的制备.pptVIP

§1 单晶材料的制备 1．前言 多晶体含有晶粒晶界，人们利用多晶来研究材料性能时在很多情况下得到的不是材料本身的性能而是晶界的性能，有的性能必须用单晶来研究。 晶体生长可以在固体、液体、气体中发生。在某一系统内，现存的唯一组分就是要结晶的材料，只含少量杂质或有意加入的低浓度掺杂元素，这种条件下生长单晶称为单组分结晶； 2．晶体生长热力学： 晶体生长热力学是在生长非常接近于平衡态下，预测生长量、以及成分随温度、压力和实验中其它变数而改变的情况。 3．晶体生长动力学： 主要是阐明在不同生长条件下的晶体生长机制以及晶体生长速率与生长驱动力间的规律。包括： 4．晶体生长技术分类 下面分别介绍上述方法 ①．提拉法：熔体固化技术中有一种称为提拉法或乔克拉斯法（Gockralski J. 1917）。（从熔体中生长晶体）。 整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里，以便使生长环境中有所需要的气氛和压强。 提拉法是熔体生长最常用的方法之一，能顺利地生长某些易挥发的化合物和特殊形态的晶体（如八边形、长4.5m的硅管、漏斗形等各种复杂形状的蓝宝石晶体、带状硅和氧化物晶体）。 晶体提拉法生长要点 （1）温度控制 （2）提拉速率 　????提拉的速率决定晶体生长速度和质量。适当的转速，可对熔体产生良好的搅拌，达到减少径向温度梯度，阻止组分过冷的目的。一