第三讲连续薄膜的形成(陈)剖析.pptVIP

 晶核相互吞并机制 晶核相互吞并机制-Ostwald吞并 Ostwald吞并过程热力学 熔结过程：两个相互接触的晶核相互吞并的过程 决定表面取向的Wullf理论 决定表面取向的Wullf理论 表面能和薄膜表面取向 决定表面取向的Wullf理论 决定表面取向的Wullf理论 决定表面取向的Wullf理论 薄膜的生长与薄膜结构 薄膜生长的晶带模型 薄膜生长过程中，原子的沉积过程包含三个过程：即气相原子的沉积或吸附，表面扩散以及体扩散过程。 上述过程均受到过程的激活能的控制，因此薄膜结构的形成将与沉积时的衬底相对温度Ts/Tm以及沉积原子自身的能量密切相关。 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以溅射方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.1 薄膜生长的晶带模型 以蒸发方法为例，讨论沉积条件对薄膜结构的影响 2.5.2 薄膜密度 沉积后的薄膜密度一般低于理论密度，其变化遵循以下规律： 随着厚度增加，薄膜密度逐渐增加并趋于一个极限值。其极限值一般仍低于理论密度。厚度较小时薄膜密度较低的原因与薄膜沉积初期的点阵无序程度高，空位、孔洞以及气体含量较高有关。 金属薄膜的相对密度一般要高于陶瓷等化合物材料。后者在沉积时原子的扩散能力较低，沉积产物中孔隙较多。金属薄膜的相对密度一般可以达到95%以上，而氟化物一般只有70%左右。提高衬底温度可以显著提高后一类薄膜的密度。 2.5.2 薄膜密度 薄膜材料中含有大量的空位和孔洞。据估计，在沉积态的金属薄膜中，空位的浓度可以高达10-2的数量级。相互独立存在或相互连通的孔洞聚集在晶粒边界附近。 2.5.3 薄膜的缺陷 薄膜中纤维状的结构和显微缺陷的存在对薄膜的性能有着重要的影响。 呈纤维状生长薄膜的物理性能，包括力学、电学、磁学、热学性能等均呈现各向异性。 薄膜中缺陷的存在使得薄膜中元素的扩散系数增大，造成薄膜微观结构的不稳定性，提高其再结晶和晶粒长大倾向等。 2.5.3 薄膜的缺陷 点缺陷：在衬底温度低时或蒸发、凝聚过程中温度的急剧变化会在薄膜中产生许多点缺陷，这些点缺陷对薄膜的电阻率产生较大的影响。 位错：薄膜中有大量的位错，位错密度通常可达1010~1011cm-2。 晶粒间界：薄膜中含有许多小晶粒，晶界面积比块状材料大，晶界增多。这是薄膜材料电阻率比块状材料电阻率大的原因之一。 各种缺陷的形成机理，缺陷对薄膜性能的影响，以及如何减少和消除缺陷等都是今后有待深入研究的课题。 2.6 薄膜的粘附力和内应力 2.6.1 薄膜的粘附力 附着现象：从宏观上看，附着就是薄膜和衬底表面相互作用将薄膜粘附在衬底上的一种现象。 薄膜的附着可分为四种类型： 简单附着； 扩散附着； 通过中间层附着； 宏观效应附着。 2.6.1 薄膜的粘附力 简单附着：薄膜和衬底之间存在一个很清楚的分界面。这种附着是由两个接触面相互吸引形成的。当两个不相似或不相容的表面相互接触时就易形成这种附着。 2.6.1 薄膜的粘附力 扩散附着：是由于在薄膜和衬底之间互相扩散或溶解形成一个渐变的界面。 阴极溅射法制备的薄膜附着性能比真空蒸发法好，一个重要的原因是，从阴极靶上溅射出的粒子都有较大的动能，它们沉积到衬底上时可发生较深的纵向扩散从而形成扩散附着。 2.6.1 薄膜的粘附力 通过中间层的附着：是在薄膜和衬底之间形成一种化合物中间层（一层或多层），薄膜再通过这个中间层与衬底间形成牢固的附着。由于薄膜和衬底之间有这样一个中间层，所以两者之间形成的附着就没有单纯的界面。 中间层：（1）可能是一种化合物的薄层；（2）也可能是含有多种化合物的薄膜。 化合物：（1）可能是由薄膜与衬底两种材料形成的化合物；（2）也可能是与真空室内环境气氛形成的化合物；（3）或者两种情况都有。 2.6.1 薄膜的粘附力 宏观效应附着：如机械锁合。机械锁合是一种宏观的机械作用。当衬底表面比较粗糙，有各种微孔(A)或微裂缝(C、D)时，在薄膜形成过程中，入射到衬底表面上的气相原子便进入到粗糙表面的各种缺陷、微孔或裂缝中形成这种宏观机械锁合。 如果衬底表面上各种微缺陷分布均匀适当，通过机械锁合作用可提高薄膜的附着性能。 2.6.1 薄膜的粘附力 附着表征： 2.6.2 薄膜的内应力 薄膜应力是薄膜重要的力学性质，对薄膜的实际应用影响很大。 薄膜应力分为外应力和