单极放大器副本剖析.pptVIP

共源共栅级 共源级和共栅极的级联称为共源共栅结构。 高输出阻抗 减小了放大器输入端的米勒效应 M1：输入器件，在漏极产生电流。 M2: 共源共栅器件 M1工作在饱和区： M2也工作饱和区： Vx 保证两MOS管工作在饱和区的最小输入电平等于两个管的过驱动电压之和 电子工程学院 共源共栅放大器的偏值条件 M1 饱和时: VX ≥ Vin – VTH1， 即：Vb ≥ Vin – VTH1 + VGS2 或： Vb ≥ Von1 + VGS2 M2 饱和时: Vout ≥ Vb – VTH2， 即: Vout ≥ Von1 + VGS2 –VTH2 或： Vout ≥ Von1 + Von2 共栅管M2的增加虽然提高了从M2漏端看进去的阻抗、改善了放大器的频率特性，但输出电压摆幅减小了一个大小等于M2的过驱动电压。这是靠牺牲摆幅来获取带宽和增益的提高。 * 直流特性 Vout和Vint经历的区域 Vout和Vint的斜率差别 电流 VINT VOUT M1管 M2管 VIN=0 0 VB-VTH2 VDD 截止 截止 VIN较小 小电流 电压 下降 电压 下降 饱和 饱和 VIN较大 大电流 继续 下降 继续 下降 线性或者饱和 线性或者饱和 VIN很大 达到 最大 变化 很小 变化 很小 线性 线性 电子工程学院 共源共栅（ Cascade ）放大器 输入——输出特性 为什么VXmax=Vb-VTH2？ Vin↑时，M1、M2谁先进入线性区？谁先进入线性区对恒流特性和输出摆幅有何关系? 当 Vin VTH1 时 M1 M2 截止，Vout =VDD， VXmax=Vb-VTH2 当 VX Vin – VTH1 时 M1 进入线性区 当Vout Vb – VTH2时M2进入线性区 容易分析， Vb 较小时， M1比M2先进入线性区 电子工程学院 M1、M2不同偏值时Pspice仿真结果 12V 3.8V 1.8V 12V 1.5V 1.8V M3 M2 M3 M2 M2最后进入线性 M3最先进入线性,该点电压即是V0min M2一开始就工作在线性区 注意比较单MOS管与共源共栅结构曲线的斜率 VA ID ID VA VA VA 电子工程学院 Ch. 3 # * M1、M2同时进入线性时Pspice仿真结果 12V 2V 1.8V M1、M2同时进入线性,该点电压即是V0min M2 M3 M2一开始就工作在线性区 斜率有明显差别! 最理想的情况是M2、M3同时进入线性，这样可以获得最大摆幅 M2最后进入线性 M3最先进入线性该点电压即是V0min VA ID VA VA VA ID ID 电子工程学院 Ch. 3 # * 共源共栅放大器的小信号等效电路 λ1= 0， λ2 = 0，γ2≠0 电子工程学院 例3.14：求下图电路的AV(假定λ=0) M1的小信号电流gm1Vin被Rp和向M2源端看进去的阻抗1/(gm2+gmb2)分成两部分，故： 因Vout=VDD-ID2RD，所以： 电子工程学院 共源共栅放大器的输出电阻 注意：左边电路的输出阻抗就是共源放大器带负反馈电阻RS的的输出阻抗 上式表示共源共栅结构具有很高的输出阻抗，对提高放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利 电子工程学院 共栅放大器的输出电阻大在恒流源中的应用 12V 2V 1.8V M1、M2同时进入线性输出电压摆幅最大 M2 M3 12V 3.8V 1.8V M3 Voutmin ,M2最后进入线性 M3最先进入线性 M2 Voutmin VA VA VA VA ID ID 电子工程学院 恒流源负载的共源共栅放大器 两个晶体管都工作在饱和区 最大增益约等于晶体管本征增益的平方. 恒流源如何保证? 电子工程学院 Ch. 3 # * 共源共栅（ Cascade ）放大器 因M1、M2的高输出阻抗，欲得高增益要求所带负载也必须是高输出阻抗，故负载也常用共源共栅电路源。 用共源共栅电流源近似代替理想恒流源 共源共栅极不一定起放大器的作用，还可做恒流源 电子工程学院 Ch. 3 # * 增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较 假定ID不变，若(a)中L变为原来的4倍而W保持不变，则Vonb=2Vona，与(b)中层叠的两个MOS管消耗的电压余度相同 因gmr0∝L1/2，L↑4倍的结果只是使gmr0↑两倍，而(c)中共源共栅结构输出增益大约增大为(gmr0)2倍，同时因(b)中M1的跨导是(c)中的1/2，这会导致更高的噪声。 *放大器的噪声与用作放大MOS管的跨导gm成反比,与用作恒流源的MOS管的跨导gm成正比。 电子工程学院 Ch. 3 #