第3章 半导体光电检测器件及应用3.pptVIP

外加反向偏压 光敏二极管一般在负偏压情况下使用 外反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电场，电子—空穴在耗尽层复合机会少，提高光敏二极管的灵敏度。 增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器件的响应频率。 但是，为了提高灵敏度及响应频率，却不能无限地加大反向偏压，因为它还受到PN结反向击穿电压等因素的限制。 选择一定厚度的I层，具有高速响应特性。 I层所起的作用: (1)为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。 (2)而I层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。 (3)反偏下，耗尽层较无I层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。 PIN管的最大特点是：频带宽，可达10GHz。 另一特点是：线性输出范围宽。 缺点: 由于I层的存在，管子的输出电流小， 一般多为零点几微安至数微安。 3、雪崩光敏二极管 当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子—空穴对。 新的电子—空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动．在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子—空穴对。 只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。 由于存在因碰撞电离引起的内增益机理，雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。 通过一定的工艺可以使它在1.06微米波长处的量子效率达到30％，非常适于可见光及近红外区域的应用。 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。 在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如图中c点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。 4、光敏二极管阵列 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并将这些信息转换为电信号的器件。 5、光敏三极管（光电三极管） 光电三极管是由光电二极管和一个晶体三极管构成，相当于在晶体三极管的基极和集电极间并联一个光电二极管。 同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。 日前用得较多的是NPN和PNP两种平面硅光电三极管。 NPN光电三极管（3DU型），使用时光电三极管的发射极接电源负极，集电极接电源正极。 光电三极管不受光时，相当于普通三极管基极开路的状态。集电结(基—集结)处于反向偏置，基极电流等于0，因而集电极电流很小，为光电三极管的暗电流。 当光子入射到集电结时，就会被吸收而产生电子—空穴对，处于反向偏置的集电结内建电场使电子漂移到集电极，空穴漂移到基极，形成光生电压，基极电位升高。 如同普通三极管的发射结(基—发结)加上了正向偏置，当基极没有引线时，集电极电流就等于发射极电流。 这样晶体三极管起到电流放大的作用。 由于光敏三极管基极电流是由光电流供给，因此一般基极不需外接点，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。 光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但线性差 线性差主要是由电流放大倍数?的非线性所致 在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。 * * 光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光谱响应在可见到近红外区中，光电检测中应用多。 为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，即PN结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为它的受光面。 为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极管浅。 3.2.2 光敏二极管与光电三极管 1、光敏二极管 （1）光敏二极管的类型 硅 锗 Ⅲ-Ⅴ族化合物 及其他化合物 材料 PN结 PIN结 异质结 肖特基势垒 点接触 结构特性 紫外光 可见光 红外光 对光的 响应 0 1.6 0.1 0.5 0.3 0.4 0.8 1.2 波长λ/μm 相对响应 锗、硅光敏二极管的光谱响应 Ge Si 光通信(短，中距离) 反应速度快，高频率的S/N良好，有