半导体工艺总复习要点.pptVIP

光刻分辨率 常用的淀积薄膜有哪些？有集成电路中的作用？薄膜淀积方法一般分为哪两类？ 单晶硅（外延）—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化；金属—互联线。 薄膜淀积一般分两类：化学气相淀积(CVD)和物理气相淀积(PVD)。 物理气相淀积PVD：蒸发，溅射 化学气相淀积CVD：常压化学气相淀积 （APCVD）；低压化学气相淀积 （LPCVD）；等离子增强化学气相淀积（PECVD）；高密度等离子化学气相淀积（HDPCVD） 什么是PECVD?PECVD主要应用在哪里，为什么？ 等离子增强化学气相淀积（PECVD）(Plasm Enhanced CVD) PECVD经常用于金属布线后的介质隔离层的生成，因为： 1.PECVD技术利用低压条件下，通过射频电场产生气体放电形成等离子体来激活反应气体分子增强化学反应，从而降低了化学气相淀积的温度； 2.等离子增强CVD最重要的特征是能在更低的温度(100～450℃)下淀积出高性能的薄膜； 试述二氧化硅、氮化硅、硅、铝的湿法刻蚀方法？ 1 SiO2的湿法腐蚀? SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 腐蚀液由HF（40%）和NH4F水溶液混合组成，通常腐蚀SiO2在HF中加入NH4F, 称为BHF或BOE； 2 Si3N4的腐蚀? 硬Si3N4可用180℃ H3PO4腐蚀，由SiO2作