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第一章 第一节 1 半导体三大特性 搀杂特性 热敏特性 光敏特性 2本征半导体 是纯净（无杂质）的半导体。 3载流子(Carrier) 指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。 有温度环境就有载流子。 绝对零度（-2730C）时晶体中无自由电子。 4本征激发 （光照、加温度q），会成对产生电子空穴对 自由电子(Free Electron) 空穴(Hole) 5 N型半导体：电子型半导体 多子(Majority)：自由电子(Free Electron) 少子(Minority)：空 穴(Hole) 自由电子数= 空 穴 数 + 施主杂质数 6 P型半导体：空穴型半导体 多子(Majority) ：空 穴(Hole) 少子(Minority ：自由电子(Free ) 空 穴 数 = 自由电子数 + 受主杂质数 7 对N型半导体 Nn · Pn = ni平方 其中： nn 为多子, Pn 为少子 ni2 为本征载流子浓度 同理，P型半导体 8结论 杂质半导体少子浓度 主要由本征激发（Ni2）决定的（和温度有关） 杂质半导体多子浓度 由搀杂浓度决定（是固定的） 9本征半导体中电流 半导体中有两种电流 漂移电流(Drift Current) 是由电场力引起的载流子定向运动 I =In + Ip 其中In为电子流，Ip为空穴流 In和Ip的方向是一致的。 扩散电流(Diffusion Current) 是由于载流子浓度不均匀（浓度梯度）所造成的。 由上式可见扩散电流正比于浓度分布线上某点处的斜率 dn(x)/dx或 dp(x)/dx。 扩散电流与浓度本身无关。 第二节 PN结 1 PN结是指使用半导体工艺使N型和P型半导体 结合处所形成的 特殊结构。 PN结是构成半导体器件的 核心结构。 空间电荷区 耗尽层 自建电场 势垒区 阻挡层。 2 PN结形成“三步曲” （1）多数载流子的 扩散运动。 （2）空间电荷区和少数载流子的 漂移运动。 （3）扩散运动与漂移运动的 动态平衡。 3势垒区 PN结建立在N型和P型半导体的结合处，由于扩散运动，失空穴和电子后形成不能移动的负离子和正离子状态，这个区域称为空间电荷区（耗尽层）。 PN结又称为 自建电场、 阻挡层。 4当外加电压时，PN结的结构将发生变化（空间电荷区的宽窄变化） 正向偏置 P接电源正，N接电源负 外电场与内电场方向相反（削弱内电场），使 PN结变窄。 扩散运动＞漂移运动。 称为“正向导通”。 反向偏置 P接电源负，N接电源正 外电场与内电场方向相同（增强内电场），使PN结变宽。 扩散运动＜漂移运动 称为“反向截止” 5 PN结伏安特性 单向导电性 正向导通 开启电压 反向截止 饱和电流 6 PN结电阻特性 两种电阻 （1）静态电阻（直流电阻） R = V/ I （2）动态电阻（交流电阻） r = △v / △I 7 PN结电容特性 PN结呈现电容效应 有两种电容效应 势垒电容 （和反向偏置有关）CT PN结外加反向偏置时，引起 空间电荷区体积的变化（相当电容的极板间距变化和电荷量的变化） 扩散电容 （和正想偏置有关）CD PN结外加正向偏置时，引起 扩散浓度梯度变化 出现的电容（电荷）效应。 两者是并联关系： 正向时，电阻小，电容效应不明显。 反向时，电阻大，电容效应明显。 故 电容效应主要在反偏时才考虑 8 反向击穿当对PN结 外加反向电压超过一定的限度，PN结会从反向截止发展到。 反向击穿破坏了PN结的单向导电特性。 利用此原理可以制成 稳压管。 电击穿有两种机理机理 可以描述： 雪崩击穿低掺杂，（少子，加速） PN结宽， 正温系数， 常发生于大于7伏电压的击穿时（雪崩效应） 齐纳击穿高掺杂，（强电场拉出电子） PN结窄， 负温系数， 常发生于小于5伏电压的击穿时（隧道效应） 9 二极管是由管芯(PN结)加电极引线和管壳制成。 平面型二极管： 面接触型二极管：适合整流，低频应用(结电容大) 点接触型二极管 ：适合检波，可高频应用(结电容小) 10 主要参数 最大整流电流IF 管子稳定工作时，所允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压VR 指工作时允许所加最大反向电压。（通常取击穿电压V(BR)的作为VR） 反向电流IR 是指击穿前的反向电流值。 此值越小表示管子单向导电性能越好。 与IS有关（再加上表面漏电流），故与温度有关。 最高工作频率fm 是由管子的结电容所决定的。 Fm