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DRY异常分析与改善 ETCH_DRY 2013.12.25 DRY 相关异常Code 异常Code 英文说明 中文说明 TEPOD On Film Particle 干刻后异物 TEFP0 Fiber Particle 纤维状或长条状异物 TEGBD Glass Broken 破片 TEINR IN Residue IN残留 TELRL N+ Remain(Lint) Channel 部纤维状 n+ 残留 TELRP N+ Remain(Partial) 盖过部分的Channel N+ Remain TEARD Arcing 异常放电 TEESD Electro Static Discharge 静电击伤 TEUED Under Etching 蚀刻未净 TEMC0 Metal Corrosion 金属腐蚀 TPSBN S/D Bridge(N) 无核型 Channel部 S/D Remain TTLC0 Data Line 断线 TEGSD Glass Scratch Glass 划伤 TGUD2 Un-Know Defect 2 未知Defect 2 TESDS Source/Drain Short 源汲短路 TEPOD 形成原因：DRY蚀刻前、中、后掉落在Glass上： 蚀刻前：造成IN、NP残 蚀刻中：部分IN、NP层残留 蚀刻后：无影响，STRIP可洗掉 处理方式： 产品：续Run Or By Panel 报废/大板报废 设备：确认有无Map聚集，如有中心聚集或四周聚集（上电极阳极膜剥落典型聚集Type），确认Image是否为上电极阳极膜剥落，如果是，则立即将PC切No Use，安排更换上电极 TEFP0 形成原因：DRY蚀刻前、中、后掉落在Glass上： 蚀刻前：造成IN、NP残 蚀刻中：部分IN、NP层残留 蚀刻后：无影响，STRIP可洗掉 处理方式： 产品：续Run Or By Panel 报废/大板报废 设备：确认有无Map聚集，如有中心聚集或四周聚集（上电极阳极膜剥落典型聚集Type），确认Image是否为上电极阳极膜剥落，如果是，则立即将PC切No Use，安排更换上电极 TEGBD 形成原因：下电极粘片破片、前程内伤： 处理方式： 产品：确认破片点位、拍照后进行Glass碎片清理，Source、Target Glass搬到MGV口确认是否有裂纹或缺失，破片附近片视情况加检MAC确认是否有刮伤 设备：清洁保养、无尘布蘸DIW擦拭下电极 预防措施：保养手法明确 TEINR 形成原因：2400/2401蚀刻前、蚀刻中Particle掉落： 处理方式： 产品：续Run Or By Panel 报废/大板报废 设备：确认有无Map聚集，如有中心聚集或四周聚集（上电极阳极膜剥落典型聚集Type），确认Image是否为上电极阳极膜剥落，如果是，则立即将PC切No Use，安排更换上电极 TELRL 形成原因：固定位置Pin 与下电极Pin孔摩擦导致土堤位置耐压性变差 处理方式： 产品：By Panel 报废 设备：更换下电极 预防措施：定期更换下电极 TEARD 形成原因： 产品设计问题 产品前程异常（PVD Hillock，CVD Arcing等） 机台下电极老化 DRY Recipe不佳 处理方式： 产品：By Panel Or大板报废 设备： 前程机台差异性确认 PC集中高发则更换下电极 Matching Box、RFG改造 TC/BC下调验证 DRY Recipe Fine Tuning 下电极改造验证 TEESD 形成原因： 产品设计问题 产品前程异常（PVD Hillock，CVD Arcing等） 机台下电极老化 DRY Recipe不佳 处理方式： 产品：By Panel Or大板报废 设备： 前程机台差异性确认 PC集中高发则更换下电极 Matching Box、RFG改造 TC/BC下调验证 DRY Recipe Fine Tuning 下电极改造验证 TEUED 形成原因： 蚀刻秒数不足；前程膜厚或U%不佳；机台Condition异常导致蚀刻速率偏低（确认Logging Data，如RF_S_F_XXX、RF_B_F_XXX、VPP等） 处理方式： 产品：By Panel Or大板报废，可以补蚀刻的拉回DRY站点补蚀刻 设备： 前程膜厚确认