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立方体对角面上和体对角线上原子排列最紧密。 密排面:{110} 密排方向:111 原子堆垛方式为ABABAB……. 八面体间隙 间隙半径的计算: 间隙半径为顶点原子至 间隙中心的距离减去原子半径,原子中心到间隙中心的距离皆为a/2,所以间隙半径为: 密排面:{111} 密排方向:110 原子堆垛方式 原子面的空隙是有三个原子所构成的,原子排列较为紧密,原子堆垛方式为ABCABC……. 间隙:四面体间隙和八面体间隙 八面体间隙位于晶胞体中心和每个棱边的中点,由 6 个面心原子所围成, 间隙数量为4个。 四面体间隙由一个顶点原子和三个面心原子围成,间隙数量为8个。 面心立方晶格的八面体间隙是由六个面的面心组成的,属于正八面体间隙。 间隙半径的计算: 面心立方晶格八面体间隙属于正八面体间隙,间隙半径为顶点原子至间隙中心的距离减去原子半径,原子中心到间隙中心的距离皆为a/2,原子半径为 ,所以间隙半径为: 正四面体间隙半径的计算: 面心立方晶格四面体间隙属于正四面体间隙,间隙半径为顶点原子至间隙中心的距离减去原子半径,原子中心到间隙中心的距离皆为 ,所以间隙半径为: 分析间隙的数量、大小和位置对了解材料的相结构、扩散、相变等问题都是很重要的。 金属的三种典型晶体结构的间隙如图1- 25、图1-26 、图1-27 所示。由图可清晰地判定间隙所处位置。按计算晶胞原子数的方法可算出晶胞所包含的间隙数目。 体心立方晶格间隙有两种: 八面体间隙间隙半径为: 间隙个数为:6 四面体间隙间隙半径为: 间隙个数为:12 面心立方晶格间隙有两种: 八面体间隙间隙半径为: 间隙个数为:4 四面体间隙间隙半径为: 间隙个数为:8 可见,面心立方八面体间隙比体心立方中间隙半径较大的四面体间隙半径还大,因此面心立方结构的γ-Fe的溶碳量大大超过体心立方结构的α-Fe。 密排面:{0001}密排方向: 原子堆垛方式为ABAB…… FCC与HCP密排面堆垛方式比较 FCC与HCP晶体结构不同,但配位数、致密度相同,为搞清其原因,必须研究晶体中原子的堆垛方式。 FCC的密排面为(111)其堆垛方式是ABCABC…。 HCP的密排面为(0001)其堆垛方式是ABAB…。 按溶质原子与溶剂原子的相对分布不同可分为: ①无序固溶体 溶质原子在溶剂晶格中的分布是任意的、无规律的。 ②有序固溶体 溶质原子占据溶剂晶格的一定位置。 固溶体的性能 点阵常数改变: 置换固溶体:r质r剂,a增大;r质r剂,a减小。 间隙固溶体:a始终随溶质原子溶入而增大。 产生固溶强化: 由于溶质原子的溶入,产生晶格畸变,使固溶体强度、硬度升高的现象。 物理性能改变:溶质↑,电阻↑,电阻温度系数↓。 影响固溶体固溶度的因素: 1) 晶体结构因素:溶质与溶剂晶格结构类型相同,固溶度↑. 2) 原子尺寸因素:溶剂原子半径rA与溶质原子半径rB的相对 差(rA-rB)/rA15%有利于固溶,固溶度↑。 3) 电负性因素:两元素间的电负性差越小,越易形成固溶 体,固溶度↑。 电负性大小看其在周期表中的位置:同一周期的元素,电 负性随原子序数↑而↑;同一族的元素,电负性随原子序 数↑而↓。所以,元素在周期表中相距越远,电负性相差 ↑,越不利于形成固溶体,固溶度↓。 4) 电子浓度因素:电子浓度越高,固溶度越小。 电子浓度为合金中价电子数目与原子数目的比值。 中间相 中间相可以是化合物,也可以是以化合物为基的固溶体,它具有金属的性质,又称金属间化合物。 合金中各组元之间发生相互作用而形成的一种新相,叫金属间化合物。具有较高熔点、高硬度,常作强化相,种类很多。 根据形成条件和结构特点不同金属间化合物可分为:正常价化合物、电子化合物、间隙相与间隙化合物。 正常价化合物:符合一般化合物原子价规律,成分固定并可用分子式表示,如AB、A2B、AB2、A2B3,主要受电负性控制的一种中间相。常见于陶瓷材料,多为离子化合物。 在元素周期表中,一些金属与电负性较强的ⅣA、ⅤA、ⅥA族的一些元素按照化学上的原子价规律所形成的化合物。 如:二价Mg与四价Pb、Sn、Ge、Si形成Mg2Pb、Mg2Sn、Mg2Ge、Mg2Si。 ② 电子化合物:符合电子浓度规律的化合物。 一定的电子浓度形成一定晶格类型的化合物。 如:电子浓度为3/2(21/14)时,形成体心立方结构的β相(CuZn);电子浓度为21/13时,形成复杂
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