非平衡载流子的扩散运动讲述.ppt

5.5 非平衡载流子的扩散（Diffusion）运动 （1）扩散运动与扩散电流（diffusion current） 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的空穴数） Dn---电子扩散系数（ electron diffusion coefficients） ---单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 扩散定律 ----在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数 稳态时，积累=损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 若样品足够厚 若样品厚为W（W ∞) 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n(W)=0 ?n(0)= (? n)0 得 当WLn时， 相应的 Sn=常数 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 在光照和外场同时存在的情况下: （2）总电流密度 （3） Einstein Relationship（爱因斯坦关系） 平衡条件下： 最后得 同理 5.6 连续性方程 指扩散和漂移运动同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程 以一维n型为例来讨论： 光照 ε 在外加条件下，载流子未达到稳态时，少子浓度不仅是x的函数，而且随时间t变化： *空穴积累率： 空穴的扩散和漂移流密度 空穴积累率 复合率 其它产生率 ------连续性方程 讨论（1）光照恒定 （2）材料掺杂均匀 （3）外加电场均匀 （4）光照恒定，且被半导体均匀吸收 对于p型半导体： 应用举例 1 用光照射n型半导体，并被表面均匀吸收，且gp=0 。假定材料是均匀的，且无外场作用，试写出少数载流子满足的运动方程。 ——非平衡少数载流子的扩散方程 恒定光照下 ——稳态扩散方程 2 用恒定光照射n型半导体，并被表面均匀吸收,且gp=0。假定材料是均匀的，且外场均匀，试写出少数载流子满足的运动方程，并求解。 解 此时连续性方程变为 方程的通解为： 考虑到非平衡载流子是随x衰减的 又 其中 ——空穴的牵引长度 空穴在寿命时间内所漂移的距离 最后得： 其中 电场很强 电场很弱 结论：由表面注入的非平衡载流子深入样品的平均距离，在电场很强时为牵引长度，而电场很弱时为扩散长度。 3 在一块均匀的半导体材料中，用适当频率的光脉冲照射其局部区域，请分别写出没有外场和加外场时，非平衡载流子在光脉冲停止后的运动方程。 没有外场： 0 x ?p t=0 t=t1 t=t2 有外场： 0 x ?p t=0 t=t1 A t=t2 4 稳态下的表面复合 稳定光照射在一块均匀掺杂的n型半导体中均匀产生非平衡载流子，产生率为gp。如果在半导体一侧存在表面复合（如图所示），试写出非平衡载流子的表达式。 体内产生的非子为 表面复合 x 0 空穴向表面扩散，满足的扩散方程 边界条件为 例 今有一块均匀的n型硅材料，用适当的频率、稳定的光照射样品的左半边（如下图），产生电子-空穴对，其产生率为gp，求稳态时、低注入水平、样品足够长时两边的空穴浓度及分布。 光 照 x 0