正电子在物质中德湮灭寿命.docVIP

用多道时间谱仪测量正电子在物质中的湮灭寿命 实验目的： （1）了解多道时间谱仪的工作原理，初步掌握多道时间谱仪的使用方法； （2）了解正电子在物质中湮灭的物理过程； （3）掌握正电子寿命测量的基本方法； 实验仪器： 22Na放射源1个、60Co放射源1个 塑料闪烁体(ST401) 2块、光电倍增管(GDB50) 2根、恒比定时甄别器(FH1053A) 2个、线性放大器(FH1002A) 2个、定时单道(FH1007A) 2个、 慢符合单元(FH1014A) 1个、延迟线单元1个、时幅变换器(FH1052B) 1个、定标器(FH1011A)1个、多道分析器(FH451) 1个、高压电源(FH1073A) 2个、UMS微机多道系统1个、打印机1台 实验原理： 正电子在物质中的湮灭寿命 正电子是电子的反粒子，当正电子与电子相遇时发生“湮灭”，总能量以电磁辐射能的形式发射。湮灭过程的绝大多数是发射两个能量相等（511keV）、方向相反的γ光子，发射单个光子或三个光子的湮灭过程，但几率极小。 β+源发射的e+通常为几百keV，由于角动量守恒的限制，动能较大的e+不会与e-发生湮灭，而是发生散射或形成电子偶素。当e+与物质的分子原子相碰撞，将很快损失它的动能，在极短时间内与物质达到热平衡，最终e+与e-形成L=0的S波体系时，发生湮灭，放出两个0.511MeV的γ光子，即湮灭辐射。 正电子从产生到湮灭的时间，称为正电子在物质中的湮灭寿命，由物质到物理、化学性质决定。在金属物质中，正电子寿命约为100ps到500ps。根据Dirac理论，发生双光子湮灭的几率为，其中c是光速，r0为电子经典半径，ne为物质的局域电子密度。所以正电子的湮灭寿命，当物质结构的发生变化（例如产生空位缺陷，辐射损伤，形变等）将导致物质局域电子密度ne变化，正电子湮灭寿命也随之发生改变。 测量正电子寿命的实验原理 常用的β+源是22Na源，它的衰变纲图如图1所示。22Na首先发射e+，衰变到22Ne的激发态，此激发态的激发能为1280keV，寿命约为3×10-12s。22Ne发射1275keV的γ射线退激到22Ne的基态。在时间谱仪的分辨时间为10-10s时，可以认为衰变过程的e+和γ射线是同时发射的。因此，测量正电子寿命时，1275keV的γ射线可作为e+诞生的时标信号，而e+湮灭时放出的两个511keV的γ光子，可作为e+湮灭的时标信号。测量正电子产生和湮灭的时标信号之间的时差，即得正电子寿命。 图1、22Na的衰变纲图 固体中的正电子湮灭寿命分析 在晶格完整的金属内部，正电子湮灭是自由态湮灭，正电子寿命谱基本上可用单指数函数描述，即，湮灭寿命。 通常的实验中，正电子寿命谱包含有几个指数衰减成份，正是由于金属晶格中存在缺陷。当金属中出现单空位缺陷时，正电子被缺陷捕获后不再自由扩散，缺陷处的电子密度较低，因此正电子的寿命增长。 解谱时需要从最后一个时间成分开始反解。由于，当t足够大时， ，取对数有，求斜率即得到和。类推，，； …………………… ，； 逐项迭代，最终得到各个湮灭成分的寿命、……。 电子学插件的线路框图 图2、测量正电子寿命的时间谱仪原理图 实验步骤： 按图2所示线路图连接仪器，预热10min，打开微机，进入多道UMS； 将60Co放射源置于样品架上，调节探头I和II的工作电压和放大倍数，使康普顿谱的半高约在700-800道。探头Ⅰ高压量程取为2keV，高压调节钮读数8.4，探头II高压为1500+300V； 调节I和II路单道的阈值和道宽，取半高点为N0，道宽对应的多道宽度为ΔN，使ΔN/ N0≌45%。根据两路各自的测量结果，对I路选择阈值为404道，道宽332道，对II路选择阈值为410道，道宽336道； 用延迟线单元对时幅变换器进行时间刻度，延迟时间分别取16ns、20ns、24ns、28ns、32ns 取延迟时间16ns，测量有能选时60Co的瞬时符合谱，与无能选时的符合谱比较时间分辨率，观察能选对分辨时间的影响； 固定I路的符合单元延迟时间，调节II路的延迟时间，用定标器每次计数30s，测量Nc-td曲线，确定II路的最佳延迟时间； 换上22Na源，分别找到慢道1275keV的γ峰和快道511keV的γ峰，调节各自单道的阈值和道宽，使道宽对峰位半高点的比值ΔN/N0≌40%，符合后作为能选信号输入时幅变换器的“选通”端； 开始测量正电子的湮灭寿命，测量时间约为10000s，使峰值计数累计到7000以上，打印正电子的湮灭时间谱及每道计数。拟合出长短两个寿命，长寿命取30-40道数据，短寿命取约20道数据； 将放射源放回铅盒内，降下高压，关闭电源，归整仪器。 五、实验结果和分析 （1）利用60Co射线刻度时幅变换器