第五章非平衡载流子王如刚研讨.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * A=0 x=0 对很厚的样品： ● 电场很弱 ?p?pE 很小，Lp(E)Lp x △p 0 △po Lp △po/e Lp 扩散长度 ● 电场很强 x △p 0 △po Lp(E) △po/e Lp(E) 牵引长度 (4) 少数载流子脉冲在电场中的漂移 均匀掺杂的N型半导体，光脉冲局部照在半导体上产生非子，内部也没有其它产生。 A）没有电场 t x 0 hv t x 0 hv 求解后得到： x 0 Δp t=0 t1 t2 t2t1t=0 注入的空穴由注入点向两边扩散，同时不但复合，其峰值随时间下降。 B）有均匀电场 t x 0 hv 求解后得到： 可计算漂移迁移率： d为脉冲间隔t内漂移的距离 x 0 Δp t=0 t1 t2 t2t1t=0 d 一、非平衡载流子的产生、复合，寿命、复合率的基本概念 小注入/大注入 二、非平衡载流子的复合 1.直接复合： 小注入时，非子寿命决定于多子浓度 大注入时，非子寿命决定于注入。 第五章小结 3. 有效复合中心：Et=Ei 2.间接复合： 小注入时非子寿命决定于少子的复合 三、陷阱效应 1. 有效陷阱： 2. 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 四、非平衡载流子的运动 1.载流子的扩散电流和漂移电流 2.爱因斯坦关系 3.少子的电流连续方程 ●稳态时非平衡少子的分布 ●光激发非平衡载流子的衰减 …… 第5章 作业 P 144 4，5，8，9，10，13，14，16 第五章思考题 区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？ 掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。 在平衡情况下，载流子有没有复合这种运动形式？为什么着重讨论非平衡载流子的复合运动？ 为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？ 在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的，但为什么说半导体处于非平衡状态？ 说明直接复合、间接复合的物理意义。 区别：复合效应和陷阱效应，复合中心和陷阱中心，俘获和复合，俘获截面和俘获几率。 习题课 例1 某P型半导体掺杂浓度NA=1016/cm3，少子寿命 =10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018/cm3.s,试计算室温下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。 设ni=1010/cm3 例2 某N型半导体掺杂浓度ND=1016/cm3，少子寿命 =5μs,如果外界作用时，使其少数载流子全部被清除，求此时电子-空穴的产生率时多少？ 设ni=1010/cm3 例3 设一均匀的n型Si样品，在左半部用一稳定的光照射，均匀产生电子-空穴对，产生率为g0，如果样品足够长，试求稳态时样品两边的空穴浓度分布。 例4 设受主浓度NA=1015/cm3 ， ni=1010/cm3 。如果载流子注入在正x区域内的非平衡载流子浓度为n（x）=1017 e-2000x，求空穴浓度p（x），并计算在x=0处电子浓度与空穴浓度的比值n/p，说明是小注入还是大注入。 例5 有一含砷适量的硅片，其空穴寿命和迁移率分别为10μs和400/V.s,如果用某种方法从表面稳定注入浓度为1013/cm3，试写出过剩载流子浓度 表达式 ，并求距表面0.1mm处的空穴浓度和空穴流密度。（假定样品足够厚，室温下， K0T/q=1/40v) * * * * * * * * * * * * * * x △p 0 Lp ● x=Lp Lp称为平均扩散长度,标志复合前非子深入样品中的平均距离 平均扩散速度 Lp/τp 非子浓度分布： 非子浓度梯度： 个/s cm2 个/cm3 cm/s 平均扩散速度 ∴扩散流密度： w 注入 抽出 (2) 薄样品 (WLp) x=w，?p=0 x=0，?p=?p0 当wLp时 x △p 0 w ?p0 ∴扩散流密度： ∵浓度梯度： 均匀掺杂的P型半导体 电子扩散流密度 稳态扩散方程 三．探针注入 r0 球面坐标表示的 稳态扩散方程： 令： 稳态扩散方程变为： 解得： 所以： 边界处扩散流密度： 四．非平衡载