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* PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 第 2 章 PN 结 分析方法：将 PN 结分为 4 个区，在每个区中分别对半导体器件基本方程进行简化和求解。 P 区 NA N 区 ND 突变结：P 区与 N 区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面（x = 0）处发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时，称为 单边突变结，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。 　　线性缓变结：冶金结面两侧的杂质浓度随距离作线性变化，杂质浓度梯度 a 为常数。 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 2.1 PN 结的平衡状态 本节将介绍 PN 结 空间电荷区的形成，PN 结的 内建电场、内建电势，及平衡时的 PN 结 空间电荷区宽度。 2.1.1 空间电荷区的形成 平衡少子 P 区： N 区： 利用 n0 p0 = ni2 的关系，可得 平衡多子 P 区： N 区： 可见， 空穴扩散：P 区 N 区 电子扩散：P 区 N 区 扩散电流方向为，P 区 N 区 P 区 N 区 NA- ND+ pp0 , np0 nn0 , pn0