第04章 化合物半导体材料--2015.04.22分析.pptVIP

5. GaN体材料生长 用GaN体材料做衬底进行外延生长和器件结构制备是最佳选择 最具有使用价值的方法：氢化物气相外延（HVPE） 2Ga+2HCl→2GaCl+H2 2GaCl+NH3 →GaN+HCl+H2 HVPE，低温缓冲层技术，在蓝宝石衬底上生长高质量、无应变的厚膜，然后将GaN从蓝宝石衬底上剥离下来。 关键技术问题：剥离，激光剥离、空洞辅助剥离 商业化：GaAs衬底上生长GaN，衬底用王水去除。 价格高，每片100万日元。 4.2 II-VI族化合物半导体材料 II-VI族化合物离子键成分更多，极性更强，具有更高的蒸气压，生长单晶更为困难。 II-VI族化合物均为直接跃迁带隙结构，带隙比周期表同一行的III-V族要大 4.2.1 常见的II-VI化合物半导体 化合物 晶体结构 带隙 un up ZnO 纤锌矿 3.37 1000 180 ZnS 闪锌矿 3.66 600 40 ZnS 纤锌矿 3.74 280 100 ZnSe 闪锌矿 2.72 625 30 ZnSe 纤锌矿 2.72 560 110 ZnTe 闪锌矿 2.2 340 100 ZnTe 纤锌矿 2.80 带隙和温度的关系 II-VI族化合物中的点缺陷 II-VI族化合物中的点缺陷： （1）起施主作用 正离子填隙原子、负离子空位、负离子取代正离子、外来杂质 （2）起受主作用 负离子填隙原子、正离