金属化与多层互连重点.ppt

金属化与多层互连 金属材料的应用 金属化 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用（金属；重掺杂多晶硅；金属硅化物；合金） 金属材料的用途及要求： 栅电极： 良好的界面特性和稳定性 合适的功函数 多晶硅的优点 互连材料 电阻率小，易于淀积和刻蚀，好的抗电迁移特性 接触材料（接触孔、硅化物） 良好的接触特性（界面性，稳定性，接触电阻，在半导体材料中的扩散系数） 后续加工工序中的稳定性； 保证器件不失效 集成电路对金属化材料特性的要求 １．能与硅基形成低阻的欧姆接触． ２．长时期在较高电流密度负荷下，金属材料的抗电迁移性能要好． ３．与绝缘体有良好的附着性． ４．耐腐蚀 ５．易于淀积和刻蚀 ６．易于键合，而且键合点能长期工作 ７．多层互连要求层与层间绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散． 晶格结构和外延生长特性的影响 外延生长的单晶膜具有理想的特性． 影响单晶膜生长的因素： 薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度 界面附着稳定程度 薄膜晶化生长稳定性 淀积条件 材料纯净度 后续工艺处理的影响 晶格常数失配因子 薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度 量化表征:晶格常数失配因子( ) 定义:衬底材料的晶格常数af与薄膜材料的晶格材料as之差与衬底材料晶格常数之比 希望接触材料和互连材料都具有小的晶格常数失配因子 合金材料的晶格常数失配因子小 金属材料的常规特性 电学性能 包括电阻率，电阻温度系数，