场效应管及其放大电路简介.pptVIP

① 画出等效电路 ② 求电压放大倍数 则 ③ 求输入电阻 ④ 求输出电阻 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电阻 几十到几千欧 几兆欧以上 热噪声 较大 较小，适用于低噪声放大器的前置级 频率特性 好 相对较差 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 制造工艺 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 本章小结 3.12 已知电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm = 1ms，设rd ＞＞Rd。（1）画出电路的小信号模型；（2）求电压增益Au；（3）求放大器的输入电阻Ri。 u0 解（2） 解（3） 3.13 已知电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm = 0.9ms，求电压增益Au；输入电阻Ri,，输出电阻R。 * * 晶体三极管的放大作用是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化来实现的, 属于电流控制型器件, 它的缺点是输入电阻较小。 场效应管是用电场效应控制导电沟道的形成和宽窄, 从而达到控制电流以实现放大作用的, 它属于电压控制型器件。其突出优点是输入电阻非常大( 可达108Ω 以上) , 制造简单、易于集成, 故应用越来越广泛。 * 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 * 第3章 场效应管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 结型场效应管 金属-氧化物-半导体场效应管 场效应管放大电路 半导体三极管(场效应管）图片 半导体三极管图片 场效应管【FET——Field Effect Transistor】 双极型三极管 场效应管 BJT FET 电流控制的元件(iB→iC) 电压控制的元件(vGS→iD) 利用基极的小电流控制集电极的大电流实现放大作用。 利用电场效应来控制输出电流。 对照两种形式的三极管： 功耗低 集成度高（单位面积上容纳的门电路数量远大于双极型三极管） 输入阻抗大（107～1012?） 热稳定性好（与环境温度关系不大） 抗干扰能力强 缺点：速度低。 FET的特点： 体积小，重量轻，价格低，寿命长； FET的分类： 根据结构不同，可分为： 结型场效应管（JFET——Junction type Field Effect Transistor） 金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET——Metal Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor） N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 3.1 结型场效应管(JFET) N沟道结型场效应管 符号： 栅极 【Gate】 漏极 【Drain】 源极 【Source】 N P+ P+ 3.1.1 JFET的结构 # 符号中的箭头方向! 三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； P沟道结型场效应管 符号： 箭头：P→N 栅极 【Gate】 漏极 【Drain】 源极 【Source】 P N+ N+ 当N沟道JFET工作时，需： vGS vDS + - d g s 在栅极和源极间加一个负电压(vGS0),使栅极与N沟道间的PN结反偏（注意与BJT的不同！！） 夹断 若vDS为一固定正值，则 iD 将受vGS的控制， │vGS │↑时，沟道电阻↑， iD↓。 vDS＝0时vGS对导电沟道的控制作用： 此时，vGS变化虽然导电沟道随之变化，但漏极电流iD总是等于0。 1、低频互导（跨导）gm UDS 为定值时, 漏极电流的 微小变化Δi D 与对应的输入电 压变化量ΔuGS 之比。该参数 相当于BJT的电流放大倍数β。 2 、 夹断电压UGS (off) 在漏源电压UDS 为定值时, 当ID 小到近于零的UGS 值, 即 UGS ≤ uGS (off) 时, 截止; UGS uGS (off) 时, 导通。 3、饱和漏电流IDSS 在uGS =0, 时的漏极电流。 通常令uGS =0， uDS =10V时,测得的i D 即为IDSS 。 场效应管的主要参数 vGS vDS + - d g s uGS=0V uGS=-1V 3.1.2JFET的特性曲线 输出特性曲线 恒流区的特点： △iD /△vGS=gm≈常数 即：△iD =gm△vGS （放大原理） ① 可变电阻区 ② 恒流区、饱和区、 线性放大区 ③ 截止区 ④ 击穿区 可变电阻区 恒流区 截止区